2N7002NT是一種增強型N溝道MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件廣泛應用于模擬和�(shù)字電路中,用于開關和放大功能�2N7002NT因其低導通電阻、快速開關特性和高可靠性而被廣泛使用�
其設計使得它在低電壓應用中表�(xiàn)�(yōu)�,例如電池供電設�、信號切換以及負載驅動等場景�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
最大漏極電流:200mA
最大功耗:340mW
導通電阻:1.8Ω(典型�,當Vgs=10V時)
工作溫度范圍�-55°C�+150°C
封裝形式:TO-92
2N7002NT具有以下顯著特性:
1. 增強型器件結構,確保只有在施加正向柵源電壓時才導��
2. 高輸入阻�,減少對控制電路的負載影響�
3. 快速開關速度,適合高頻應用�
4. 小尺寸TO-92封裝,便于PCB布局�
5. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能�(wěn)��
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛材料制��
2N7002NT適用于多種電子電路場�,包括但不限于:
1. 開關電源中的開關元件�
2. 電池供電設備中的負載開關�
3. �(shù)字電路中的邏輯電平轉��
4. 繼電器和小型電機驅動�
5. 音頻電路中的信號切換�
6. 各種保護電路,如過流保護和短路保��
7. 在通信設備中用作信號調(diào)制與解調(diào)的開關元��
2N7002, BSS103, FDC6572A, PMV20EN