AONS36308是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。該器件適用于各種電源管理應(yīng)用,包括負(fù)載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電池保護(hù)電路等。其小型化的封裝形式使其非常適合于空間受限的設(shè)計(jì)場(chǎng)景。
AONS36308的主要特點(diǎn)是極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),從而顯著降低了功率損耗,提高了整體效率。此外,它還具備出色的熱性能和可靠性,確保在嚴(yán)苛環(huán)境下仍能穩(wěn)定工作。
類型:N溝道MOSFET
最大漏源電壓Vds:30V
最大柵源電壓Vgs:±20V
連續(xù)漏極電流Id:14A
導(dǎo)通電阻Rds(on):1.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
總功耗Pd:27W(Tc=25℃)
工作結(jié)溫范圍:-55℃至+150℃
封裝形式:LFPAK56D(PowerSO8)
AONS36308的核心優(yōu)勢(shì)在于其超低的導(dǎo)通電阻,僅為1.5mΩ(在Vgs=10V時(shí))。這一特性使其能夠有效降低導(dǎo)通損耗,在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出。
此外,該MOSFET具有快速開關(guān)能力,可以減少開關(guān)損耗并提高效率。其高雪崩能力和強(qiáng)健的短路耐受時(shí)間進(jìn)一步增強(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性。
封裝方面,AONS36308采用LFPAK56D(PowerSO8)封裝,這種封裝方式不僅節(jié)省空間,還具備優(yōu)異的散熱性能,非常適合便攜式電子設(shè)備和其他對(duì)尺寸敏感的應(yīng)用場(chǎng)景。
最后,該器件支持寬范圍的工作溫度,從-55℃到+150℃,確保在極端環(huán)境下的穩(wěn)定性。
AONS36308廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品、通信設(shè)備和工業(yè)控制系統(tǒng)等領(lǐng)域。具體應(yīng)用包括:
1. 手機(jī)和平板電腦中的負(fù)載開關(guān)
2. 筆記本電腦適配器的同步整流電路
3. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或同步整流管
4. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)開關(guān)
5. LED驅(qū)動(dòng)器中的功率級(jí)元件
6. 各類電源模塊中的高效功率轉(zhuǎn)換組件
由于其低導(dǎo)通電阻和高效率特性,AONS36308特別適合需要高性能和小尺寸解決方案的設(shè)計(jì)。
AONR36308
IRF7844
SI4489DY