時間：2025/5/9 15:30:39
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BUK7Y4R8-60E是安森美（ON Semiconductor）推出的N溝道增強型MOSFET，采用PowerT5-1封裝形式。該器件具有低導通電阻和高效率的特性，廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的電子設備中。
這款MOSFET設計用于承受較高的電壓，并在高頻應用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。其優(yōu)化的開關特性和低損耗使其成為眾多功率轉(zhuǎn)換應用的理想選擇。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：12.3A
導通電阻：4.8mΩ
柵極電荷：35nC
總功耗：17W
工作結(jié)溫范圍：-55℃至175℃
BUK7Y4R8-60E的主要特性包括：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)），能夠顯著降低傳導損耗。
2. 高速開關能力，適合高頻功率轉(zhuǎn)換應用。
3. 具備強大的雪崩能力和耐用性，提高系統(tǒng)可靠性。
4. 小尺寸封裝，節(jié)省PCB空間。
5. 符合RoHS標準，環(huán)保無鉛。
6. 能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作，適用于嚴苛環(huán)境下的應用。
BUK7Y4R8-60E適用于以下領域：
1. 開關模式電源（SMPS）
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
3. 電機控制與驅(qū)動
4. 工業(yè)自動化設備
5. 電池管理系統(tǒng)（BMS）
6. 各種消費類電子產(chǎn)品中的功率管理電路
