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BUK7Y4R8-60E 發(fā)布時間 時間:2025/5/9 15:30:39 查看 閱讀:27

BUK7Y4R8-60E是安森美(ON Semiconductor)推出的N溝道增強型MOSFET,采用PowerT5-1封裝形式。該器件具有低導通電阻和高效率的特性,廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及其他需要高效功率管理的電子設備中。
  這款MOSFET設計用于承受較高的電壓,并在高頻應用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。其優(yōu)化的開關特性和低損耗使其成為眾多功率轉(zhuǎn)換應用的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:12.3A
  導通電阻:4.8mΩ
  柵極電荷:35nC
  總功耗:17W
  工作結(jié)溫范圍:-55℃至175℃

特性

BUK7Y4R8-60E的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低傳導損耗。
  2. 高速開關能力,適合高頻功率轉(zhuǎn)換應用。
  3. 具備強大的雪崩能力和耐用性,提高系統(tǒng)可靠性。
  4. 小尺寸封裝,節(jié)省PCB空間。
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛。
  6. 能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,適用于嚴苛環(huán)境下的應用。

應用

BUK7Y4R8-60E適用于以下領域:
  1. 開關模式電源(SMPS)
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
  3. 電機控制與驅(qū)動
  4. 工業(yè)自動化設備
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
  6. 各種消費類電子產(chǎn)品中的功率管理電路

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