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CDR01BP150BKZSAT 發(fā)布時間 時間�2025/5/31 1:50:39 查看 閱讀�15

CDR01BP150BKZSAT 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),適用于多種電力電子應用。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能等特��
  它屬� N 溝道增強型功� MOSFET,廣泛用于直�-直流�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電機驅(qū)動和其他需要高效功率管理的應用��

參數(shù)

最大漏源電壓:150V
  連續(xù)漏極電流�43A
  導通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷�98nC
  總電容:2720pF
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

CDR01BP150BKZSAT 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可有效減少傳導損耗并提高效率�
  2. 高擊穿電壓設計,確保在高壓環(huán)境下的可靠運��
  3. 快速開�(guān)能力,減少開�(guān)損�,適合高頻應��
  4. 出色的熱�(wěn)定性,能夠在極端溫度條件下維持性能�
  5. 小封裝尺�,節(jié)省印刷電路板空間,同時提供良好的散熱性能�
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�

應用

該芯片的主要應用場景包括�
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的功率開關(guān)�
  2. 直流-直流�(zhuǎn)換器的核心元��
  3. 電機�(qū)動中的功率級控制�
  4. 太陽能逆變器以及其他新能源相關(guān)設備�
  5. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)模塊�
  6. 電動車和混合動力汽車的電池管理系�(tǒng) (BMS)�

替代型號

IRFP260N
  STP45NF06
  FDP18N15
  IXTH10N150T
  TO15N150E

cdr01bp150bkzsat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR01
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容15 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BP
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級-
  • 應用高可靠�
  • 故障�S�0.001%�
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.080" � x 0.050" 寬(2.03mm x 1.27mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.055"�1.40mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-