CDR01BP150BKZSAT 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),適用于多種電力電子應用。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能等特��
它屬� N 溝道增強型功� MOSFET,廣泛用于直�-直流�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電機驅(qū)動和其他需要高效功率管理的應用��
最大漏源電壓:150V
連續(xù)漏極電流�43A
導通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�98nC
總電容:2720pF
工作溫度范圍�-55� � 175�
CDR01BP150BKZSAT 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可有效減少傳導損耗并提高效率�
2. 高擊穿電壓設計,確保在高壓環(huán)境下的可靠運��
3. 快速開�(guān)能力,減少開�(guān)損�,適合高頻應��
4. 出色的熱�(wěn)定性,能夠在極端溫度條件下維持性能�
5. 小封裝尺�,節(jié)省印刷電路板空間,同時提供良好的散熱性能�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
該芯片的主要應用場景包括�
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的功率開關(guān)�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器的核心元��
3. 電機�(qū)動中的功率級控制�
4. 太陽能逆變器以及其他新能源相關(guān)設備�
5. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)模塊�
6. 電動車和混合動力汽車的電池管理系�(tǒng) (BMS)�
IRFP260N
STP45NF06
FDP18N15
IXTH10N150T
TO15N150E