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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > CSD19535KCS

CSD19535KCS 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/6 20:55:02 查看 閱讀�24

CSD19535KCS 是一款由德州儀� (TI) 生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的工藝技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),非常適合用于高效能電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)�。其封裝形式� QFN 封裝�8 引腳�,有助于提高散熱性能和節(jié)� PCB 空間�
  該器件的�(shè)�(jì)重點(diǎn)在于�(yōu)化開�(guān)性能與導(dǎo)通損耗之間的平衡,從而在高頻工作條件下提供卓越的效率表現(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�24A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型�,當(dāng) Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷�17nC(典型值)
  輸入電容�1290pF(典型值)
  總功耗:1.8W
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C

特�

CSD19535KCS 具有非常低的�(dǎo)通電�,這使得它能夠在高�(fù)載電流下保持較低的功率損�,�(jìn)而提升整體系�(tǒng)效率�
  此外,它的柵極電荷較小,確保了快速的開關(guān)速度,能夠有效減少開�(guān)損��
  由于采用� QFN 封裝,這款 MOSFET 還具備出色的熱性能,能�?qū)崃扛行У貍�?dǎo)� PCB,從而延�(zhǎng)器件壽命并增�(qiáng)可靠��
  該器件支持較寬的工作溫度范圍,使其適用于各種惡劣�(huán)境下的工�(yè)和汽車應(yīng)��

�(yīng)�

CSD19535KCS 廣泛�(yīng)用于需要高效能開關(guān)的場(chǎng)景,包括但不限于�
  - 開關(guān)模式電源(SMPS�
  - DC-DC �(zhuǎn)換器
  - 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路
  - 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切�
  - 汽車電子系統(tǒng)的功率控制模�
  - 筆記本電腦及平板充電適配�
  其低�(dǎo)通電阻和高電流處理能力使它成為這些�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

CSD19536KCS, CSD19537Q5A

csd19535kcs推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

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csd19535kcs�(chǎn)�

csd19535kcs參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�1,716�(xiàn)�10,000Factory
  • �(jià)�1 : �26.08000管件
  • 系列NexFET?
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�100 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)150A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�6V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)3.6 毫歐 @ 100A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)3.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)101 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)7930 pF @ 50 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)300W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-220-3
  • 封裝/外殼TO-220-3