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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > CSD25481F4T

CSD25481F4T 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 11:49:37 查看 閱讀�32

CSD25481F4T 是一款由德州儀� (TI) 推出的高性能 N 溝道增強� MOSFET,采用先進的制造工藝設�,主要用于需要高效功率轉換和低損耗的應用場景。該器件具有較低的導通電阻和快速開關特�,適用于高頻開關電源、DC-DC 轉換器以及電機驅動等應用領域�
  此型號屬� NexFET 系列,其�(yōu)化的封裝形式和電氣性能使其在空間受限的設計中表�(xiàn)尤為突出�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�39A
  導通電阻(Rds(on)):2.7mΩ
  柵極電荷�36nC
  輸入電容�1080pF
  工作溫度范圍�-55� � 175�
  封裝類型:DSO-NexFET

特�

CSD25481F4T 的主要特點是其非常低的導通電� Rds(on),僅� 2.7mΩ,這使得它在高電流應用中能夠顯著降低傳導損耗,提高系統(tǒng)效率�
  同時,該器件具備快速的開關速度,有助于減少開關損耗并支持高頻操作。此�,其寬廣的工作溫度范圍(-55� � 175℃)確保了其在各種惡劣環(huán)境下的可靠性�
  由于采用� DSO-NexFET 封裝技�,這款 MOSFET 還擁有卓越的熱性能,進一步增強了其在高溫條件下的�(wěn)定性和耐用��

應用

CSD25481F4T 廣泛應用于需要高效率和高可靠性的功率電子設備�,包括但不限于以下領域:
  1. 開關模式電源 (SMPS)
  2. DC-DC 轉換�
  3. 電機驅動電路
  4. 工業(yè)自動化控�
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
  6. 通信電源模塊
  這些應用得益� CSD25481F4T 的低導通電阻和快速開關特�,可有效提升系統(tǒng)的整體性能�

替代型號

CSD18506Q5B, IRF7846PBF, FDP060N06L

csd25481f4t推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

csd25481f4t資料 更多>

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csd25481f4t參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�16,255�(xiàn)�10,000Factory
  • 價格1 : �6.68000剪切帶(CT�250 : �4.37564卷帶(TR�
  • 系列FemtoFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技�MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�20 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)2.5A(Ta�
  • 驅動電壓(最� Rds On,最� Rds On�1.8V�4.5V
  • 不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)88 毫歐 @ 500mA�8V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)1.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)0.91 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)-12V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)189 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)500mW(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應商器件封�3-PICOSTAR
  • 封裝/外殼3-XFDFN