CSD25481F4T 是一款由德州儀� (TI) 推出的高性能 N 溝道增強� MOSFET,采用先進的制造工藝設�,主要用于需要高效功率轉換和低損耗的應用場景。該器件具有較低的導通電阻和快速開關特�,適用于高頻開關電源、DC-DC 轉換器以及電機驅動等應用領域�
此型號屬� NexFET 系列,其�(yōu)化的封裝形式和電氣性能使其在空間受限的設計中表�(xiàn)尤為突出�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�39A
導通電阻(Rds(on)):2.7mΩ
柵極電荷�36nC
輸入電容�1080pF
工作溫度范圍�-55� � 175�
封裝類型:DSO-NexFET
CSD25481F4T 的主要特點是其非常低的導通電� Rds(on),僅� 2.7mΩ,這使得它在高電流應用中能夠顯著降低傳導損耗,提高系統(tǒng)效率�
同時,該器件具備快速的開關速度,有助于減少開關損耗并支持高頻操作。此�,其寬廣的工作溫度范圍(-55� � 175℃)確保了其在各種惡劣環(huán)境下的可靠性�
由于采用� DSO-NexFET 封裝技�,這款 MOSFET 還擁有卓越的熱性能,進一步增強了其在高溫條件下的�(wěn)定性和耐用��
CSD25481F4T 廣泛應用于需要高效率和高可靠性的功率電子設備�,包括但不限于以下領域:
1. 開關模式電源 (SMPS)
2. DC-DC 轉換�
3. 電機驅動電路
4. 工業(yè)自動化控�
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
6. 通信電源模塊
這些應用得益� CSD25481F4T 的低導通電阻和快速開關特�,可有效提升系統(tǒng)的整體性能�
CSD18506Q5B, IRF7846PBF, FDP060N06L