DMN2104L-7是一款來自Diodes Incorporated的N溝道MOSFET晶體�,采用SOT-23封裝形式。這款器件主要應用于低�、低功耗場景下的開關和負載驅動應用。其出色的導通電阻特性使其非常適合用于便攜式設備、消費類電子產品以及通信系統(tǒng)中的功率管理電路�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�1.1A
導通電阻(Rds(on)):0.95Ω(典型�,Vgs=4.5V時)
柵極電荷�3nC(典型值)
工作結溫范圍�-55℃至150�
DMN2104L-7具有以下顯著特點�
1. 低導通電阻設計能夠有效降低功率損耗,提高效率�
2. 小型化的SOT-23封裝節(jié)省了PCB空間,特別適合緊湊型設計需��
3. 較高的雪崩擊穿能力和強健的ESD保護性能確保了器件在惡劣�(huán)境下的可靠��
4. 快速開關速度降低了開關損�,并且提升了系統(tǒng)的動�(tài)響應能力�
5. 寬泛的工作溫度范圍使得該器件適用于各種工�(yè)及商�(yè)應用場景�
該MOSFET廣泛應用于以下領域:
1. 移動設備中的電源管理模塊,例如手機和平板電腦�
2. 計算機外設中的開關控制單�,如USB端口保護與控��
3. 各種消費類電子產品的負載開關應用�
4. LED照明系統(tǒng)的驅動電��
5. 工業(yè)控制領域的信號切換與小型電機驅動�
DMN2106L-7
BS108
Si2302DS