DS25BR120 時(shí)間：2025/5/7 8:46:55 閱讀：27

DS25BR120 是一款由 Maxim Integrated 生產(chǎn)的雙向、非易失性存儲(chǔ)器 (NV) SRAM 緩沖器，適用于需要高速數(shù)據(jù)傳輸和可靠存儲(chǔ)的應(yīng)用。該芯片內(nèi)置了鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (FRAM)，能夠在斷電時(shí)保留數(shù)據(jù)，并且具有低功耗特性，非常適合電池供電設(shè)備或?qū)δ芎拿舾械南到y(tǒng)。
　　DS25BR120 的設(shè)計(jì)允許在高速 SPI 接口下進(jìn)行數(shù)據(jù)緩沖和暫存，同時(shí)支持快速寫(xiě)入和讀取操作。由于其非易失性存儲(chǔ)能力，它可以在突然斷電的情況下自動(dòng)保存數(shù)據(jù)，無(wú)需外部電源支持。

參數(shù)

工作電壓：1.8V 至 3.6V
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
　　接口類(lèi)型：SPI
　　存儲(chǔ)容量：128 字節(jié) NV SRAM
　　訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間：小于 35ns
　　數(shù)據(jù)保持時(shí)間：超過(guò) 10 年
　　寫(xiě)入耐久性：大于 10^12 次擦寫(xiě)周期
　　封裝類(lèi)型：8 引腳 SOIC 和 8 引腳 TSSOP

特性

DS25BR120 具有以下非易失性存儲(chǔ)：即使在斷電情況下也能保存數(shù)據(jù)，無(wú)需額外備份電源。
　　2. 快速訪(fǎng)問(wèn)速度：支持高達(dá) 50MHz 的 SPI 時(shí)鐘頻率，適合實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理應(yīng)用。
　　3. 低功耗運(yùn)行：在待機(jī)模式下電流消耗極低，有助于延長(zhǎng)電池壽命。
　　4. 可靠性高：具備出色的抗輻射能力和耐久性，適合工業(yè)和汽車(chē)環(huán)境。
　　5. 簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)：無(wú)需 EEPROM 或閃存即可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能，減少系統(tǒng)復(fù)雜度。
　　6. 寬工作電壓范圍：兼容多種供電場(chǎng)景，適應(yīng)性強(qiáng)。
　　7. 小型封裝：節(jié)省 PCB 空間，適合緊湊型設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

DS25BR120 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 工業(yè)自動(dòng)化：用于控制器中的數(shù)據(jù)日志記錄和參數(shù)存儲(chǔ)。
　　2. 汽車(chē)電子：適用于發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元 (ECU) 和其他關(guān)鍵系統(tǒng)的臨時(shí)數(shù)據(jù)緩存。
　　3. 醫(yī)療設(shè)備：為便攜式醫(yī)療儀器提供可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案。
　　4. 計(jì)量?jī)x表：如智能電表，用以保存重要測(cè)量數(shù)據(jù)。
　　5. 物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備：在傳感器節(jié)點(diǎn)中用作本地?cái)?shù)據(jù)緩存，減少網(wǎng)絡(luò)通信負(fù)擔(dān)。
　　6. 電池管理系統(tǒng)：監(jiān)測(cè)和存儲(chǔ)電池健康狀態(tài)及使用歷史。