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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > EEEFT1V101AP

EEEFT1V101AP 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 18:15:54 查看 閱讀�25

EEEFT1V101AP是一種N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,適用于多種�(kāi)�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電��,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)��
  EEEFT1V101AP的設(shè)�(jì)旨在滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和小尺寸的要求,同�(shí)提供�(yōu)異的熱性能和可靠��

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  漏源極擊穿電�(Vds)�30V
  柵源極電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�15A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
  總功�(Ptot)�29W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-263 (D2PAK)

特�

EEEFT1V101AP具備以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),可顯著降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的耐受性�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度,減少開(kāi)�(guān)損�,適合高頻應(yīng)用�
  4. 提供出色的熱性能,有助于散熱�(shè)�(jì)�(jiǎn)化�
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合各種工業(yè)�(yīng)用需��
  6. 采用TO-263封裝,支持表面貼�,易于自�(dòng)化生�(chǎn)和安��

�(yīng)�

EEEFT1V101AP適用于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主�(kāi)�(guān)�(yīng)��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高頻�(kāi)�(guān)元件�
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)中的功率�(jí)控制�
  5. 汽車電子中的電源管理和負(fù)載切換�
  6. 工業(yè)�(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5800
  STP16NF06L

eeeft1v101ap推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

eeeft1v101ap參數(shù)

  • 安裝類型表面
  • 容差±20%
  • 容差 �+20%
  • 容差 �(fù)-20%
  • 壽命�(shí)�2000h
  • 封裝/外殼D
  • 尺寸6.3 Dia. x 5.8mm
  • 引線直徑0.65mm
  • 引線節(jié)�1.8mm
  • 最低工作溫�-55°C
  • 最高工作溫�+105°C
  • 泄漏電流35 μA
  • 電壓35 V 直流
  • 電容�100μF
  • 直徑6.3mm
  • 等值串�(lián)電阻�0.26Ω
  • 紋波電流300mA
  • �(jié)�(gòu)金屬�
  • 高度5.8mm