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FDD5N60NZTM 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 2:40:15 查看 閱讀�18

FDD5N60NZTM 是一� N 溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET),� Fairchild Semiconductor 生產(chǎn)。該器件適用于高電壓、高電流的開�(guān)�(yīng)�,如電機控制、電源管理、逆變器和 DC-DC �(zhuǎn)換等場景。其�(shè)計具有較低的�(dǎo)通電阻和良好的開�(guān)性能,能夠提升系�(tǒng)的效率并減少�(fā)��
  FDD5N60NZTM 的封裝形式為 TO-220,便于散熱和集成到各種電路中。由于其高耐壓特性(最高可�(dá) 600V�,這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于工業(yè)�(shè)備、家用電器以及汽車電子領(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�5A
  �(dǎo)通電阻:3.2Ω
  柵極電荷�15nC
  最大功耗:70W
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

FDD5N60NZTM 具備以下主要特性:
  1. 高擊穿電壓:可承受高�(dá) 600V 的漏源電�,適合高壓環(huán)境下的應(yīng)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:在典型條件下,導(dǎo)通電阻僅� 3.2Ω,有助于降低傳導(dǎo)損��
  3. 快速開�(guān)能力:具備較小的柵極電荷�15nC),從而實�(xiàn)快速開�(guān)操作,減少開�(guān)損��
  4. 高可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格的測試和篩�,確保長期穩(wěn)定運��
  5. 熱穩(wěn)定性強:能夠在 -55� � +150� 的寬溫范圍內(nèi)正常工作,適�(yīng)惡劣�(huán)境條��
  6. 封裝�(yōu)勢:采用�(biāo)�(zhǔn) TO-220 封裝,便于安裝和散熱�

�(yīng)�

FDD5N60NZTM 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 電源管理系統(tǒng):用� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件�
  2. 電機�(qū)動:控制直流無刷電機或步進電機的速度和方��
  3. 工業(yè)自動化:用作固態(tài)繼電器或�(fù)載切換開�(guān)�
  4. 家用電器:例如空�(diào)、洗衣機等設(shè)備中的功率控制模��
  5. 汽車電子:包括電動車窗、座椅調(diào)節(jié)及照明系�(tǒng)等領(lǐng)��
  6. 逆變器設(shè)計:支持太陽能逆變器或其他類型逆變器的核心開關(guān)組件�

替代型號

FDD5N60NZ, IRF540N, STP5NK60Z

fdd5n60nztm推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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fdd5n60nztm參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列UniFET-II™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)600V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C4A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2 歐姆 @ 2A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds600pF @ 25V
  • 功率 - 最�83W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)