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FDMA530PZ 發(fā)布時間 時間:2025/5/26 21:41:05 查看 閱讀:14

FDMA530PZ是一款由Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)生產(chǎn)的高壓MOSFET器件,采用TO-263封裝形式。該器件專為高效率、高頻開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計,適合于各類電源管理場景,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、逆變器和電機驅(qū)動等。其出色的開關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻使其在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
  FDMA530PZ的核心特性在于它能夠提供較高的擊穿電壓(通常為500V或以上),并具備較低的導(dǎo)通電阻以減少能量損耗。此外,該器件還集成了先進的工藝技術(shù),從而提升了整體性能表現(xiàn)。

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓:500V
  連續(xù)漏極電流:1.7A
  導(dǎo)通電阻(典型值,在Vgs=10V時):4.8Ω
  柵極電荷(典型值):7nC
  總功耗:2W
  工作結(jié)溫范圍:-55℃至+150℃
  封裝形式:TO-263

特性

1. 高擊穿電壓確保了該器件能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運行。
  2. 較低的導(dǎo)通電阻有效減少了導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗。
  3. 優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計使得開關(guān)速度更快,從而降低了開關(guān)損耗。
  4. 適用于高頻開關(guān)應(yīng)用,如開關(guān)電源和PWM控制器。
  5. 封裝形式緊湊,易于集成到各種電路設(shè)計中。
  6. 廣泛的工作溫度范圍增強了其在惡劣環(huán)境中的可靠性。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的高頻開關(guān)元件。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)元件。
  3. 逆變器電路中的功率開關(guān)。
  4. 各類電機驅(qū)動應(yīng)用中的功率控制元件。
  5. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載切換開關(guān)。
  6. 用于保護電路中的過壓或短路檢測與隔離功能。

替代型號

IRF540N
  FDP5500
  STP17NF50
  IXYS IXFN50N50T2

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fdma530pz參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫歐 @ 6.8A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs24nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1070pF @ 15V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-WDFN 裸露焊盤
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝MicroFET 2x2
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDMA530PZTR