時間：2025/5/23 0:17:37
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FI 168P0829GM-T 是一款高性能的功率MOSFET芯片，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動等場景。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能，能夠在高頻和高效率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
該型號屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET，主要設(shè)計用于需要高效能功率管理的應(yīng)用場合。
最大漏源電壓：80V
連續(xù)漏極電流：25A
導(dǎo)通電阻：2.5mΩ
柵極電荷：45nC
輸入電容：1250pF
最大功耗：150W
工作結(jié)溫范圍：-55℃至+175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)整體效率。
2. 高速開關(guān)特性使其非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
3. 良好的熱穩(wěn)定性確保在高溫環(huán)境下仍能保持可靠運行。
4. 緊湊的封裝設(shè)計節(jié)省PCB空間，便于小型化設(shè)計。
5. 具備強(qiáng)大的抗浪涌能力，增強(qiáng)了器件的魯棒性。
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)驅(qū)動與控制
4. 工業(yè)逆變器
5. 太陽能微逆變器
6. 電動工具及家電驅(qū)動電路
IRF840,
STP16NF06,
FDP16N60,
IXYS IXFN18N50T,
ON Semiconductor NTMFS4829N
