FI 168P0829GM-T 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)動等場景。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠在高頻和高效率�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
該型號屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,主要設(shè)計用于需要高效能功率管理的應(yīng)用場��
最大漏源電壓:80V
連續(xù)漏極電流�25A
�(dǎo)通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�45nC
輸入電容�1250pF
最大功耗:150W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
1. 極低的導(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)整體效率�
2. 高速開�(guān)特性使其非常適合高頻開�(guān)�(yīng)用�
3. 良好的熱�(wěn)定性確保在高溫�(huán)境下仍能保持可靠運行�
4. 緊湊的封裝設(shè)計節(jié)省PCB空間,便于小型化�(shè)��
5. 具備�(qiáng)大的抗浪涌能�,增�(qiáng)了器件的魯棒性�
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)動與控制
4. 工業(yè)逆變�
5. 太陽能微逆變�
6. 電動工具及家電驅(qū)動電�
IRF840,
STP16NF06,
FDP16N60,
IXYS IXFN18N50T,
ON Semiconductor NTMFS4829N