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FI+168P0829GM-T 發(fā)布時間 時間�2025/5/23 0:17:37 查看 閱讀�14

FI 168P0829GM-T 是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和電�(jī)�(qū)動等場景。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠在高頻和高效率�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  該型號屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,主要設(shè)計用于需要高效能功率管理的應(yīng)用場��

參數(shù)

最大漏源電壓:80V
  連續(xù)漏極電流�25A
  �(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷�45nC
  輸入電容�1250pF
  最大功耗:150W
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻有助于減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)整體效率�
  2. 高速開�(guān)特性使其非常適合高頻開�(guān)�(yīng)用�
  3. 良好的熱�(wěn)定性確保在高溫�(huán)境下仍能保持可靠運行�
  4. 緊湊的封裝設(shè)計節(jié)省PCB空間,便于小型化�(shè)��
  5. 具備�(qiáng)大的抗浪涌能�,增�(qiáng)了器件的魯棒性�

�(yīng)�

1. 開關(guān)模式電源(SMPS�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)動與控制
  4. 工業(yè)逆變�
  5. 太陽能微逆變�
  6. 電動工具及家電驅(qū)動電�

替代型號

IRF840,
  STP16NF06,
  FDP16N60,
  IXYS IXFN18N50T,
  ON Semiconductor NTMFS4829N