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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > FQB2NA90

FQB2NA90 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 17:13:00 查看 閱讀�10

FQB2NA90 是一� N 灃道通的增強(qiáng)型功� MOSFET,采� TO-252 封裝。這款器件主要用于開關(guān)電源、直流電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
  � MOSFET 的核心特�(diǎn)是其較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在高電流條件下提供出色的效率和散熱性能。此外,它還具有較高的雪崩擊穿能力和快速開�(guān)特�,使其非常適合于�(duì)可靠性和速度要求較高的應(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�2.8A
  �(dǎo)通電阻:3.6Ω
  柵極電荷�4.7nC
  輸入電容�420pF
  總功耗:1.1W
  工作溫度范圍�-55� to +150�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電�,提高了效率并減少了�(fā)熱�
  2. 快速開�(guān)特�,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. 高雪崩擊穿能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的可靠��
  4. �(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),提升了散熱性能和電氣連接的穩(wěn)定性�
  5. 廣泛的工作溫度范�,適�(yīng)多種惡劣�(huán)境下的使用需��

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. 直流-直流�(zhuǎn)換器
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�
  4. �(fù)載切換電�
  5. 電池保護(hù)電路
  6. LED �(qū)�(dòng)和背光電�
  7. 其他功率管理相關(guān)�(yīng)�

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