FQB2NA90 是一� N 灃道通的增強(qiáng)型功� MOSFET,采� TO-252 封裝。這款器件主要用于開關(guān)電源、直流電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載切換以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
� MOSFET 的核心特�(diǎn)是其較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠在高電流條件下提供出色的效率和散熱性能。此外,它還具有較高的雪崩擊穿能力和快速開�(guān)特�,使其非常適合于�(duì)可靠性和速度要求較高的應(yīng)��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�2.8A
�(dǎo)通電阻:3.6Ω
柵極電荷�4.7nC
輸入電容�420pF
總功耗:1.1W
工作溫度范圍�-55� to +150�
1. 極低的導(dǎo)通電�,提高了效率并減少了�(fā)熱�
2. 快速開�(guān)特�,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 高雪崩擊穿能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的可靠��
4. �(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),提升了散熱性能和電氣連接的穩(wěn)定性�
5. 廣泛的工作溫度范�,適�(yīng)多種惡劣�(huán)境下的使用需��
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 直流-直流�(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和控�
4. �(fù)載切換電�
5. 電池保護(hù)電路
6. LED �(qū)�(dòng)和背光電�
7. 其他功率管理相關(guān)�(yīng)�