GA0402Y151MXBAP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬于溝槽型 MOSFET 系列。該芯片主要�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等場景,能夠提供低導通電阻和高效率的性能表現(xiàn)。其�(shè)計采用了先進的制造工�,確保在高頻開關(guān)條件下具備卓越的性能和可靠��
該器件適用于需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用領(lǐng)�,例如工�(yè)�(shè)�、消費類電子�(chǎn)品以及通信�(shè)備中的功率管理部��
型號:GA0402Y151MXBAP31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵極源極電�(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�29A
導通電�(Rds(on))�1.5mΩ
總柵極電�(Qg)�38nC
輸入電容(Ciss)�3720pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247-3
GA0402Y151MXBAP31G 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),能夠在高電流應(yīng)用中降低功耗并提高效率�
2. 較低的柵極電� (Qg),支持高頻開�(guān)操作,減少了開關(guān)損��
3. 高度可靠的熱性能,可承受較高的結(jié)�,確保在嚴苛�(huán)境下�(wěn)定運行�
4. 快速開�(guān)速度,減少死區(qū)時間,從而提升整體系�(tǒng)效率�
5. 采用 TO-247-3 封裝,具有良好的散熱特性和電氣連接��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且適合多種�(xiàn)代工�(yè)�(yīng)用需��
這些特性使其非常適合用于對效率和散熱要求較高的功率�(zhuǎn)換應(yīng)用中�
GA0402Y151MXBAP31G 的典型應(yīng)用包括:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率級開�(guān)元件�
3. 電機�(qū)動電路中的功率控制元��
4. 工業(yè)逆變器和變頻器中的功率模塊�
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的大電流切��
6. 汽車電子中的負載開關(guān)和保護電��
其高電流處理能力和低導通電阻使得它在上述應(yīng)用中表現(xiàn)出色,尤其適合于需要高效能功率�(zhuǎn)換的場合�
GA0402Y151MXBAP29G, IRF540N, FDP5810