GA0603A1R2CXBAC31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效功率晶體管,適用于高頻和高功率應(yīng)用場(chǎng)景。該器件采用了先進(jìn)的封裝技術(shù)和優(yōu)化的芯片設(shè)計(jì),具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)特性和高電流承載能力等特點(diǎn)。它主要應(yīng)用于電源管理、無(wú)線(xiàn)充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及各類(lèi)工業(yè)電子設(shè)備中。
型號(hào):GA0603A1R2CXBAC31G
類(lèi)型:增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (eGaN FET)
額定電壓:600V
額定電流:3.1A
導(dǎo)通電阻:120mΩ(最大值,典型值為100mΩ)
柵極電荷:4nC(典型值)
開(kāi)關(guān)頻率:高達(dá)5MHz
工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
封裝形式:8引腳表面貼裝 (SMD)
GA0603A1R2CXBAC31G 的關(guān)鍵特性包括:
1. 高效率:得益于氮化鎵材料的優(yōu)異性能,該器件能夠在高頻條件下保持較低的功耗。
2. 快速開(kāi)關(guān)速度:其低柵極電荷和小寄生電容使得開(kāi)關(guān)時(shí)間更短,從而減少開(kāi)關(guān)損耗。
3. 低熱阻封裝:優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)有助于提升散熱性能,使器件能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 高可靠性:通過(guò)嚴(yán)格的測(cè)試流程,確保在各種復(fù)雜工況下的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。
5. 小尺寸設(shè)計(jì):緊湊的封裝使其非常適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。
該器件廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
2. LED 驅(qū)動(dòng)電路
3. 無(wú)線(xiàn)充電發(fā)射端
4. 激光雷達(dá) (LiDAR) 系統(tǒng)
5. 工業(yè)自動(dòng)化與控制
6. 電池管理系統(tǒng) (BMS)
7. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的快充適配器
GA0603A1R2CXBAF31G