GA0805A122JBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和�(fù)載切換等�(lǐng)�。該芯片采用先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠��
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器�,適合在高頻和大電流條件下工�,同時具備良好的熱性能和電氣穩(wěn)定��
類型:N溝道增強� MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流(Id)�50A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ
柵極電荷(Qg)�65nC
開關(guān)時間:ton=15ns, toff=18ns
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247
GA0805A122JBABR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可以有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,適用于高頻�(yīng)用場��
3. 高額定電流能�,確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運行�
4. 良好的熱性能,支持長時間連續(xù)工作而不易過熱�
5. 高耐壓能力,可承受高達 60V 的漏源電��
6. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)各種�(yán)苛環(huán)境條��
7. 可靠性高,使用壽命長,適合工�(yè)級及汽車級應(yīng)用�
GA0805A122JBABR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
3. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率管理�
4. 汽車電子�(shè)備中的負(fù)載切換和保護�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率放大和�(qū)動�
6. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應(yīng)用場��
GA0805A122JBABR29G, IRF540N, FDP5500