GA0805A821KXCBT31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,專為高頻和高功率密度應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù)以確保低寄生電感和出色的散熱性能,同�(shí)具備快速開�(guān)特性和較低的導(dǎo)通電�。其主要�(yīng)用于電源�(zhuǎn)�、無(wú)線充電、激光雷�(dá)以及各類工業(yè)�(shè)備中,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低能��
作為 GaN 器件家族的一員,GA0805A821KXCBT31G 在高頻操作下表現(xiàn)尤為突出,適合需要緊湊型解決方案的應(yīng)用場(chǎng)��
型號(hào):GA0805A821KXCBT31G
類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
工作電壓�650V
�(dǎo)通電阻:150mΩ(典型值)
最大漏極電流:8A
柵極�(qū)�(dòng)電壓�4V~6V(開啟)�0V~2V(關(guān)閉)
開關(guān)頻率:最高支� 10MHz
�(jié)溫范圍:-40°C � +150°C
封裝形式:LLP8 封裝
GA0805A821KXCBT31G 的核心優(yōu)�(shì)在于其采用氮化鎵材料所帶來(lái)的高性能特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻使得器件在高電流條件下仍然保持高效�(yùn)��
2. 快速的開關(guān)速度允許使用更高的工作頻�,從而減少無(wú)源元件的體積與成本�
3. 良好的熱性能有助于簡(jiǎn)化散熱設(shè)�(jì),使系統(tǒng)更加緊湊�
4. 高度集成化的制造工藝保證了�(chǎn)品的一致性和可靠��
5. 由于 GaN 技�(shù)的固有優(yōu)�(shì),該芯片在耐壓能力、抗電磁干擾等方面也有出色表�(xiàn)�
這些特性使其非常適合要求苛刻的�(xiàn)代電子系�(tǒng),尤其是那些�(duì)效率和尺寸有�(yán)格限制的�(yīng)用�
GA0805A821KXCBT31G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(Switching Power Supplies):
包括 AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器,可�(shí)�(xiàn)更高效率和更小尺寸的�(shè)�(jì)�
2. �(wú)線充電模塊:
提供高效的能量傳�,在消費(fèi)電子和工�(yè)�(wú)線充電方案中表現(xiàn)出色�
3. 激光雷�(dá)(LiDAR):
支持快速脈沖生�,滿足自�(dòng)駕駛和無(wú)人機(jī)等領(lǐng)域的精密�(cè)距需求�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器:
�(shí)�(xiàn)高頻 PWM 控制,適用于家用電器和工�(yè)自動(dòng)化中的小型電�(jī)控制�
5. 其他高功率密度應(yīng)用:
� LED �(qū)�(dòng)�、光伏逆變器和通信基站電源��
GAN080-650WSB,
GAN063-650WSB,
TX810G65A150L