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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0805A821KXCBT31G

GA0805A821KXCBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 20:23:27 查看 閱讀�19

GA0805A821KXCBT31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,專為高頻和高功率密度應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的封裝技�(shù)以確保低寄生電感和出色的散熱性能,同�(shí)具備快速開�(guān)特性和較低的導(dǎo)通電�。其主要�(yīng)用于電源�(zhuǎn)�、無(wú)線充電、激光雷�(dá)以及各類工業(yè)�(shè)備中,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低能��
  作為 GaN 器件家族的一員,GA0805A821KXCBT31G 在高頻操作下表現(xiàn)尤為突出,適合需要緊湊型解決方案的應(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

型號(hào):GA0805A821KXCBT31G
  類型:增�(qiáng)� GaN HEMT
  工作電壓�650V
  �(dǎo)通電阻:150mΩ(典型值)
  最大漏極電流:8A
  柵極�(qū)�(dòng)電壓�4V~6V(開啟)�0V~2V(關(guān)閉)
  開關(guān)頻率:最高支� 10MHz
  �(jié)溫范圍:-40°C � +150°C
  封裝形式:LLP8 封裝

特�

GA0805A821KXCBT31G 的核心優(yōu)�(shì)在于其采用氮化鎵材料所帶來(lái)的高性能特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻使得器件在高電流條件下仍然保持高效�(yùn)��
  2. 快速的開關(guān)速度允許使用更高的工作頻�,從而減少無(wú)源元件的體積與成本�
  3. 良好的熱性能有助于簡(jiǎn)化散熱設(shè)�(jì),使系統(tǒng)更加緊湊�
  4. 高度集成化的制造工藝保證了�(chǎn)品的一致性和可靠��
  5. 由于 GaN 技�(shù)的固有優(yōu)�(shì),該芯片在耐壓能力、抗電磁干擾等方面也有出色表�(xiàn)�
  這些特性使其非常適合要求苛刻的�(xiàn)代電子系�(tǒng),尤其是那些�(duì)效率和尺寸有�(yán)格限制的�(yīng)用�

�(yīng)�

GA0805A821KXCBT31G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(Switching Power Supplies):
   包括 AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器,可�(shí)�(xiàn)更高效率和更小尺寸的�(shè)�(jì)�
  2. �(wú)線充電模塊:
   提供高效的能量傳�,在消費(fèi)電子和工�(yè)�(wú)線充電方案中表現(xiàn)出色�
  3. 激光雷�(dá)(LiDAR):
   支持快速脈沖生�,滿足自�(dòng)駕駛和無(wú)人機(jī)等領(lǐng)域的精密�(cè)距需求�
  4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器:
   �(shí)�(xiàn)高頻 PWM 控制,適用于家用電器和工�(yè)自動(dòng)化中的小型電�(jī)控制�
  5. 其他高功率密度應(yīng)用:
   � LED �(qū)�(dòng)�、光伏逆變器和通信基站電源��

替代型號(hào)

GAN080-650WSB,
  GAN063-650WSB,
  TX810G65A150L

ga0805a821kxcbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容820 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-