GA0805Y273MXJBP31G 是一款高性能的 MOSFET 場效應(yīng)晶體管,主要用于開關(guān)和放大功能。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及出色的熱穩(wěn)定性,適用于多種工業(yè)及消費類電子應(yīng)用。
型號:GA0805Y273MXJBP31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):5.4A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):40mΩ
功耗(PD):18W
封裝形式:TO-252(DPAK)
工作溫度范圍:-55℃ to +150℃
GA0805Y273MXJBP31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),確保在高電流應(yīng)用中降低功率損耗。
2. 快速開關(guān)能力,適合高頻電路設(shè)計。
3. 高耐壓性能,能夠在嚴(yán)苛的工作條件下可靠運行。
4. 出色的熱穩(wěn)定性,能夠有效管理器件溫度,提高系統(tǒng)可靠性。
5. 小型化封裝設(shè)計,便于PCB布局與安裝。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的需求。
該芯片廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的開關(guān)元件。
2. 各種負(fù)載切換電路,例如電機(jī)控制、LED 驅(qū)動等。
3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)電路。
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊。
5. 消費類電子產(chǎn)品的背光驅(qū)動和信號調(diào)節(jié)電路。
其卓越的性能使其成為需要高效能功率轉(zhuǎn)換或精密控制的理想選擇。
IRFZ44N, FQP50N06L, AO3400A