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GA1206A120KXEBC31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/4 4:19:57 查看 閱讀�14

GA1206A120KXEBC31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用了先進的半導(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和�(wěn)定性�
  這款芯片屬于N溝道增強型MOSFET,其�(yōu)化的�(shè)計使得它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)異,同時具備良好的熱性能和抗浪涌能力�

參數(shù)

型號:GA1206A120KXEBC31G
  類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電壓:650V
  最大連續(xù)漏極電流�12A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�120mΩ
  柵極電荷�45nC
  開關(guān)頻率:高�500kHz
  工作溫度范圍�-55℃至+150�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206A120KXEBC31G的核心優(yōu)勢在于其卓越的電氣性能和可靠�。具體特性如下:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有效降低了功率損�,提高了系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)特�,支持高�500kHz的工作頻�,適合高頻應(yīng)用場��
  3. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,有助于減少開關(guān)噪聲和電磁干��
  4. 良好的熱�(wěn)定性和耐熱沖擊能力,確保器件在極端�(huán)境下的長期可靠��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)��
  6. 封裝形式為TO-247,便于散熱和安裝,適用于大功率場景�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,包括降�、升壓及升降壓拓��
  3. 電機�(qū)動電路,用于控制直流無刷電機或步進電��
  4. 太陽能逆變器中的功率級開關(guān)�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換與保護�
  6. 汽車電子�(lǐng)域中的電池管理系�(tǒng)(BMS)及車載充電��

替代型號

GA1206A120KXEBC32G, IRFP460, STP12NM65

ga1206a120kxebc31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容12 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-