GA1206A151JXABT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,廣泛應用于開關電源、DC-DC 轉換器、電機驅動等場景。該型號屬于溝道增強� MOSFET,具有低導通電阻和快速開關特性,適合高效率功率轉換應��
類型:MOSFET
極性:N-Channel
漏源電壓(Vds)�60V
連續(xù)漏電�(Id)�150A
柵極電荷(Qg)�45nC
導通電�(Rds(on))�1.5mΩ
功�(Ptot)�150W
封裝:TO-247
GA1206A151JXABT31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開關速度,適用于高頻開關應用�
3. 高電流處理能� (Id),能夠支持大功率負載�
4. �(wěn)定的工作溫度范圍 (-55°C � +150°C),適應多種環(huán)境條��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
6. 提供出色� ESD 和雪崩保護性能,增強器件耐用��
該型� MOSFET 廣泛用于以下領域�
1. 開關電源 (SMPS) 中的主開關元件�
2. DC-DC 轉換器中的同步整流和降壓/升壓轉換�
3. 電動工具和家用電器中的電機驅��
4. 工業(yè)自動化設備中的負載開��
5. 新能源汽車中的電池管理系�(tǒng) (BMS) 和逆變器控��
6. 太陽能微逆變器和其他可再生能源相關應��
IRFP2907, FDP150N06L, IXFN150N06T2