GA1206A221JXLBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率管理的場(chǎng)景。該芯片具有低導(dǎo)通電阻和高耐壓特�,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。此�,其封裝形式適合表面貼裝工藝,便于大�(guī)模自�(dòng)化生�(chǎn)�
型號(hào):GA1206A221JXLBT31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�60V
最大柵源電�(Vgss):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�22A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
總柵極電�(Qg)�48nC
反向恢復(fù)�(shí)�(trr)�70ns
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-263-3(LD)
GA1206A221JXLBT31G具備卓越的電氣性能,特別適合于高效率、高功率密度的設(shè)�(jì)需��
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠在大電流應(yīng)用中顯著減少功率損��
2. 高速開(kāi)�(guān)特性,�(jié)合較低的柵極電荷和反向恢�(fù)�(shí)�,適用于高頻�(kāi)�(guān)電路�
3. 寬泛的工作溫度范圍,使其能在惡劣�(huán)境中保持�(wěn)定運(yùn)��
4. 封裝�(shè)�(jì)緊湊,支持高效的表面貼裝技�(shù)(SMT),簡(jiǎn)化了制造流程�
5. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的可靠性�
該芯片廣泛應(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率輸出�(jí)�
4. 工業(yè)控制�(shè)備中的負(fù)載切��
5. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理模塊�
由于其高效率和穩(wěn)定�,GA1206A221JXLBT31G在各類工�(yè)、消�(fèi)類及汽車電子�(chǎn)品中均有出色表現(xiàn)�
IRFZ44N, FDP55N06L, AOT221L