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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206Y182MBJBT31G

GA1206Y182MBJBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 21:41:59 查看 閱讀�16

GA1206Y182MBJBT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)用。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功��
  該型�(hào)通常用于需要高效率和低損耗的電力電子�(shè)�(jì)�,其出色的熱性能和可靠性使其非常適合于工業(yè)、消�(fèi)類和汽車電子�(lǐng)��

參數(shù)

類型:功率MOSFET
  封裝:TO-252(DPAK)
  耐壓�60V
  �(dǎo)通電阻:1.5mΩ(典型值)
  連續(xù)漏極電流�70A�25°C�(shí)�
  柵極電荷�45nC(典型值)
  �(kāi)�(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55°C�150°C

特�

GA1206Y182MBJBT31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在高電流�(yīng)用中可以顯著降低傳導(dǎo)損��
  2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,減少開(kāi)�(guān)損耗并提高工作效率�
  3. 較低的柵極電荷和輸入電容,簡(jiǎn)化了�(qū)�(dòng)電路�(shè)�(jì)�
  4. 高雪崩能量能�,提高了器件在異常情況下的魯棒性�
  5. 具備良好的熱�(wěn)定性和抗靜電能力(ESD保護(hù)��
  6. 封裝形式為T(mén)O-252(DPAK),適合表面貼裝工藝,易于集成到各種PCB�(shè)�(jì)��
  這些特點(diǎn)使得該器件適用于多種高效能的�(yīng)用場(chǎng)景,例如適配�、充電器以及各種類型的DC-DC�(zhuǎn)換器�

�(yīng)�

GA1206Y182MBJBT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的主開(kāi)�(guān)��
  2. 各種降壓或升壓型DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
  3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
  4. 工業(yè)�(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和控制電��
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和電源管理�
  由于其高效的性能和可靠的�(wěn)定�,這款功率MOSFET成為了眾多設(shè)�(jì)工程師的首選解決方案�

替代型號(hào)

GA1206Y182MBJBT30G, IRF3205, AO3400

ga1206y182mbjbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1800 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-