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GA1206Y562JXJBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/21 9:17:34 查看 閱讀�21

GA1206Y562JXJBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于高效率電源�(zhuǎn)換和開關(guān)應用。該芯片采用了先進的半導體制造工藝,具備低導通電�、快速開�(guān)速度和高耐壓能力的特�,適用于工業(yè)控制、消費電子以及通信設備中的電源管理模塊�
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器�,通過�(yōu)化的溝槽�(jié)�(gòu)設計,在高頻工作條件下能夠顯著降低開�(guān)損�,從而提高整體系�(tǒng)的效��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�12A
  導通電阻(典型值)�0.04Ω
  柵極電荷�65nC
  開關(guān)時間:開啟時� 80ns,關(guān)閉時� 45ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206Y562JXJBR31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導通電阻確保了在大電流條件下產(chǎn)生的熱損耗較�,提升了系統(tǒng)的散熱性能�
  2. 高速開�(guān)能力使其非常適合用于高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器� PFC(功率因�(shù)校正)電路�
  3. 強大的雪崩耐量能力增強了其在異常情況下的可靠��
  4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全�
  5. 提供�(yōu)異的 ESD 防護功能,提高了芯片在實際應用中的穩(wěn)定��

應用

該型號廣泛應用于以下領域�
  1. 開關(guān)電源(SMPS)設�,如適配器、充電器��
  2. 工業(yè)電機�(qū)動與逆變器控��
  3. 太陽能微逆變器及儲能系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)��
  4. 電信設備中的高效電源解決方案�
  5. 各種需要高耐壓、大電流處理能力的電子裝置中�

替代型號

IRFP460N
  FDP17N65
  STP12NM65

ga1206y562jxjbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容5600 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-