GA1206Y562JXJBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于高效率電源�(zhuǎn)換和開關(guān)應用。該芯片采用了先進的半導體制造工藝,具備低導通電�、快速開�(guān)速度和高耐壓能力的特�,適用于工業(yè)控制、消費電子以及通信設備中的電源管理模塊�
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器�,通過�(yōu)化的溝槽�(jié)�(gòu)設計,在高頻工作條件下能夠顯著降低開�(guān)損�,從而提高整體系�(tǒng)的效��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�12A
導通電阻(典型值)�0.04Ω
柵極電荷�65nC
開關(guān)時間:開啟時� 80ns,關(guān)閉時� 45ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA1206Y562JXJBR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻確保了在大電流條件下產(chǎn)生的熱損耗較�,提升了系統(tǒng)的散熱性能�
2. 高速開�(guān)能力使其非常適合用于高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器� PFC(功率因�(shù)校正)電路�
3. 強大的雪崩耐量能力增強了其在異常情況下的可靠��
4. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全�
5. 提供�(yōu)異的 ESD 防護功能,提高了芯片在實際應用中的穩(wěn)定��
該型號廣泛應用于以下領域�
1. 開關(guān)電源(SMPS)設�,如適配器、充電器��
2. 工業(yè)電機�(qū)動與逆變器控��
3. 太陽能微逆變器及儲能系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)��
4. 電信設備中的高效電源解決方案�
5. 各種需要高耐壓、大電流處理能力的電子裝置中�
IRFP460N
FDP17N65
STP12NM65