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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206Y683KBBBR31G

GA1206Y683KBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/9 13:12:34 查看 閱讀�4

GA1206Y683KBBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于電源管理�(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制程技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和高效率等特�(diǎn)。它廣泛用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及各類(lèi)功率變換電路��
  這款芯片在設(shè)�(jì)上優(yōu)化了熱性能,能夠在高電流應(yīng)用中保持較低的功�,同�(shí)具備�(qiáng)大的抗浪涌能力和靜電保護(hù)功能,確保系�(tǒng)�(yùn)行的�(wěn)定性和可靠性�

參數(shù)

�(lèi)型:N溝道 MOSFET
  封裝:LFPAK56
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�40A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ
  總柵極電�(Qg)�75nC
  輸入電容(Ciss)�3080pF
  輸出電容(Coss)�90pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA1206Y683KBBBR31G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠顯著降低傳�(dǎo)損�,提高整體效率�
  2. 快速的�(kāi)�(guān)速度和較小的柵極電荷 (Qg),適合高頻應(yīng)用環(huán)境�
  3. 具備良好的熱�(wěn)定�,能夠承受較高的�(jié)�,適�(yīng)惡劣的工作條��
  4. �(nèi)置靜電防�(hù)電路,增�(qiáng)器件的魯棒性�
  5. 小型化封� LFPAK56,有助于減少 PCB 占用面積并改善散熱性能�
  6. 高度可靠的電氣性能,適用于�(yán)苛的工業(yè)�(jí)和汽�(chē)�(jí)�(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

該芯片適用于多種電子�(shè)備和系統(tǒng),典型的�(yīng)用場(chǎng)景包括:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流�
  2. 降壓或升壓型 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  3. 汽車(chē)電子中的電機(jī)控制和負(fù)載切換�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
  5. 筆記本電腦及平板電腦適配器的功率管理單元�
  6. LED 照明�(qū)�(dòng)電路中的高效�(kāi)�(guān)元件�

替代型號(hào)

GA1206Y683KBBCR31G, IRF7722TRPBF

ga1206y683kbbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.068 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-