GA1206Y683KBBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于電源管理領(lǐng)域。該器件采用先進(jìn)的制程技術(shù)制造,具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)速度和高效率等特點(diǎn)。它廣泛用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及各類(lèi)功率變換電路中。
這款芯片在設(shè)計(jì)上優(yōu)化了熱性能,能夠在高電流應(yīng)用中保持較低的功耗,同時(shí)具備強(qiáng)大的抗浪涌能力和靜電保護(hù)功能,確保系統(tǒng)運(yùn)行的穩(wěn)定性和可靠性。
類(lèi)型:N溝道 MOSFET
封裝:LFPAK56
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):40A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.5mΩ
總柵極電荷(Qg):75nC
輸入電容(Ciss):3080pF
輸出電容(Coss):90pF
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
GA1206Y683KBBBR31G 的主要特性包括以下幾點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗,提高整體效率。
2. 快速的開(kāi)關(guān)速度和較小的柵極電荷 (Qg),適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 具備良好的熱穩(wěn)定性,能夠承受較高的結(jié)溫,適應(yīng)惡劣的工作條件。
4. 內(nèi)置靜電防護(hù)電路,增強(qiáng)器件的魯棒性。
5. 小型化封裝 LFPAK56,有助于減少 PCB 占用面積并改善散熱性能。
6. 高度可靠的電氣性能,適用于嚴(yán)苛的工業(yè)級(jí)和汽車(chē)級(jí)應(yīng)用場(chǎng)景。
該芯片適用于多種電子設(shè)備和系統(tǒng),典型的應(yīng)用場(chǎng)景包括:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流。
2. 降壓或升壓型 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
3. 汽車(chē)電子中的電機(jī)控制和負(fù)載切換。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊。
5. 筆記本電腦及平板電腦適配器的功率管理單元。
6. LED 照明驅(qū)動(dòng)電路中的高效開(kāi)關(guān)元件。
GA1206Y683KBBCR31G, IRF7722TRPBF