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GA1210Y684KXXAR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/6/6 18:28:36 查看 閱讀:9

GA1210Y684KXXAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進(jìn)的制造工藝設(shè)計(jì)。該器件主要應(yīng)用于需要高效能和低功耗的場景中,具有出色的開關(guān)特性和導(dǎo)通性能。其優(yōu)化的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使其能夠在高頻條件下保持較低的導(dǎo)通電阻,從而有效降低功率損耗。
  這款功率MOSFET適用于廣泛的工業(yè)和消費(fèi)類電子領(lǐng)域,例如電源管理模塊、電機(jī)驅(qū)動器、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。憑借其高可靠性和耐用性,GA1210Y684KXXAR31G 成為眾多設(shè)計(jì)工程師在功率轉(zhuǎn)換和控制電路中的首選元件。

參數(shù)

類型:功率MOSFET
  極性:N溝道
  最大漏源電壓(Vds):12V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):10A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4mΩ
  總功耗(Ptot):70W
  工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
  封裝形式:TO-247

特性

GA1210Y684KXXAR31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗。
  2. 高速開關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
  3. 強(qiáng)大的電流承載能力,能夠滿足大功率系統(tǒng)的需求。
  4. 良好的熱穩(wěn)定性,在高溫條件下仍能保持優(yōu)異的性能。
  5. 高可靠性設(shè)計(jì),確保長期使用過程中的穩(wěn)定表現(xiàn)。
  6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)。
  這些特性使得 GA1210Y684KXXAR31G 在多種復(fù)雜環(huán)境中表現(xiàn)出色,特別適合對效率和可靠性要求較高的應(yīng)用場合。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和直流-直流轉(zhuǎn)換器。
  2. 電機(jī)驅(qū)動和逆變器電路。
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)。
  4. 負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
  5. 汽車電子和工業(yè)自動化設(shè)備。
  6. 高效節(jié)能的家電產(chǎn)品。
  通過在這些領(lǐng)域的應(yīng)用,GA1210Y684KXXAR31G 展現(xiàn)了卓越的性能和靈活性,成為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)的重要組成部分。

替代型號

GA1210Y684KXXBR31G
  IRFZ44N
  FDP5501
  STP10NK06Z

ga1210y684kxxar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.68 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長 x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-