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GA1210Y684KXXAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 18:28:36 查看 閱讀�9

GA1210Y684KXXAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì)。該器件主要�(yīng)用于需要高效能和低功耗的場景�,具有出色的開關(guān)特性和�(dǎo)通性能。其�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)使其能夠在高頻條件下保持較低的導(dǎo)通電阻,從而有效降低功率損��
  這款功率MOSFET適用于廣泛的工業(yè)和消�(fèi)類電子領(lǐng)�,例如電源管理模塊、電�(jī)�(qū)動器、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(fù)載開�(guān)等應(yīng)�。憑借其高可靠性和耐用�,GA1210Y684KXXAR31G 成為眾多�(shè)�(jì)工程師在功率�(zhuǎn)換和控制電路中的首選元件�

參數(shù)

類型:功率MOSFET
  極性:N溝道
  最大漏源電�(Vds)�12V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�10A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ
  總功�(Ptot)�70W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247

特�

GA1210Y684KXXAR31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少導(dǎo)通狀�(tài)下的功率損��
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. �(qiáng)大的電流承載能力,能夠滿足大功率系統(tǒng)的需��
  4. 良好的熱�(wěn)定性,在高溫條件下仍能保持�(yōu)異的性能�
  5. 高可靠性設(shè)�(jì),確保長期使用過程中的穩(wěn)定表�(xiàn)�
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
  這些特性使� GA1210Y684KXXAR31G 在多種復(fù)雜環(huán)境中表現(xiàn)出色,特別適合對效率和可靠性要求較高的�(yīng)用場合�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和直�-直流�(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)動和逆變器電��
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)�
  4. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  5. 汽車電子和工�(yè)自動化設(shè)��
  6. 高效節(jié)能的家電�(chǎn)��
  通過在這些�(lǐng)域的�(yīng)用,GA1210Y684KXXAR31G 展現(xiàn)了卓越的性能和靈活�,成為現(xiàn)代電子設(shè)�(jì)的重要組成部��

替代型號

GA1210Y684KXXBR31G
  IRFZ44N
  FDP5501
  STP10NK06Z

ga1210y684kxxar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.68 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-