GA1210Y684KXXAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì)。該器件主要�(yīng)用于需要高效能和低功耗的場景�,具有出色的開關(guān)特性和�(dǎo)通性能。其�(yōu)化的�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì)使其能夠在高頻條件下保持較低的導(dǎo)通電阻,從而有效降低功率損��
這款功率MOSFET適用于廣泛的工業(yè)和消�(fèi)類電子領(lǐng)�,例如電源管理模塊、電�(jī)�(qū)動器、DC-DC�(zhuǎn)換器以及�(fù)載開�(guān)等應(yīng)�。憑借其高可靠性和耐用�,GA1210Y684KXXAR31G 成為眾多�(shè)�(jì)工程師在功率�(zhuǎn)換和控制電路中的首選元件�
類型:功率MOSFET
極性:N溝道
最大漏源電�(Vds)�12V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�10A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ
總功�(Ptot)�70W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247
GA1210Y684KXXAR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少導(dǎo)通狀�(tài)下的功率損��
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. �(qiáng)大的電流承載能力,能夠滿足大功率系統(tǒng)的需��
4. 良好的熱�(wěn)定性,在高溫條件下仍能保持�(yōu)異的性能�
5. 高可靠性設(shè)�(jì),確保長期使用過程中的穩(wěn)定表�(xiàn)�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
這些特性使� GA1210Y684KXXAR31G 在多種復(fù)雜環(huán)境中表現(xiàn)出色,特別適合對效率和可靠性要求較高的�(yīng)用場合�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和直�-直流�(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)動和逆變器電��
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)�
4. �(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 汽車電子和工�(yè)自動化設(shè)��
6. 高效節(jié)能的家電�(chǎn)��
通過在這些�(lǐng)域的�(yīng)用,GA1210Y684KXXAR31G 展現(xiàn)了卓越的性能和靈活�,成為現(xiàn)代電子設(shè)�(jì)的重要組成部��
GA1210Y684KXXBR31G
IRFZ44N
FDP5501
STP10NK06Z