GJM0335C1HR20WB01D 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,適用于高頻和高效率的電源轉(zhuǎn)換應用場景。該器件采用先進的封裝技�(shù),能夠顯著提高系�(tǒng)性能并減少整體尺寸。其卓越的開�(guān)特性和低導通電阻使其成為眾多工�(yè)、通信和消費電子應用的理想選擇�
該型號為表面貼裝型器�,適合自動化生產(chǎn),并具有良好的熱性能和電氣性能�
類型:功率晶體管
材料:氮化鎵(GaN�
額定電壓�650V
額定電流�30A
導通電阻:1.8mΩ
開關(guān)頻率:最高可� 10MHz
封裝形式:LFPAK8
工作溫度范圍�-55� � +175�
GJM0335C1HR20WB01D 具備以下顯著特點�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,支持高� 10MHz 的開�(guān)頻率,非常適合高頻應��
3. 氮化鎵技�(shù)提供更高的擊穿電壓和更小的芯片尺寸,從而實�(xiàn)更緊湊的設計�
4. 強大的熱管理性能,保證在高負載下的穩(wěn)定運��
5. 出色的可靠性和抗電磁干擾能力,適應各種復雜�(huán)��
該器件廣泛應用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機�(qū)�
4. 太陽能逆變�
5. 電動車充電設�
6. �(shù)�(jù)中心和服務器電源
GaNFET 技�(shù)特別適合需要高效率和高頻工作的場景�
GJM0335C1HR20WB02D