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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > GJM0335C1HR20WB01D

GJM0335C1HR20WB01D 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 9:56:28 查看 閱讀�33

GJM0335C1HR20WB01D 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,適用于高頻和高效率的電源轉(zhuǎn)換應用場景。該器件采用先進的封裝技�(shù),能夠顯著提高系�(tǒng)性能并減少整體尺寸。其卓越的開�(guān)特性和低導通電阻使其成為眾多工�(yè)、通信和消費電子應用的理想選擇�
  該型號為表面貼裝型器�,適合自動化生產(chǎn),并具有良好的熱性能和電氣性能�

參數(shù)

類型:功率晶體管
  材料:氮化鎵(GaN�
  額定電壓�650V
  額定電流�30A
  導通電阻:1.8mΩ
  開關(guān)頻率:最高可� 10MHz
  封裝形式:LFPAK8
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GJM0335C1HR20WB01D 具備以下顯著特點�
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,支持高� 10MHz 的開�(guān)頻率,非常適合高頻應��
  3. 氮化鎵技�(shù)提供更高的擊穿電壓和更小的芯片尺寸,從而實�(xiàn)更緊湊的設計�
  4. 強大的熱管理性能,保證在高負載下的穩(wěn)定運��
  5. 出色的可靠性和抗電磁干擾能力,適應各種復雜�(huán)��

應用

該器件廣泛應用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機�(qū)�
  4. 太陽能逆變�
  5. 電動車充電設�
  6. �(shù)�(jù)中心和服務器電源
  GaNFET 技�(shù)特別適合需要高效率和高頻工作的場景�

替代型號

GJM0335C1HR20WB02D

gjm0335c1hr20wb01d推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

gjm0335c1hr20wb01d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�520,879�(xiàn)�
  • 價格1 : �1.11000剪切帶(CT�15,000 : �0.16324卷帶(TR�
  • 系列GJM
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.2 pF
  • 容差±0.05pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�� Q �,低損�
  • 等級-
  • 應用RF,微�,高�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0201�0603 公制�
  • 大小 / 尺寸0.024" � x 0.012" 寬(0.60mm x 0.30mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"�0.33mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-