H57V1262GTR-60C 是一種高� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要應用于功率轉換和開關電路中。該器件采用 TO-220 封裝,適用于需要高效率和高可靠性的工業(yè)及汽車級應用�
該芯片通過其卓越的電氣性能和熱性能,能夠承受較高的電壓,并提供低導通電阻以減少功率損��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�12A
導通電阻:0.18Ω
柵極電荷�45nC
總功耗:150W
工作溫度范圍�-55� to +150�
封裝形式:TO-220
H57V1262GTR-60C 具備以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,可承受高達 600V 的漏源電�,適合高壓環(huán)境下的應��
2. 較低的導通電阻(0.18Ω�,有助于減少導通狀�(tài)下的功率損�,提升系�(tǒng)效率�
3. 快速開關速度,得益于�(yōu)化的柵極電荷設計,使其在高頻開關電路中表�(xiàn)�(yōu)��
4. 工作溫度范圍廣(-55� � +150℃),適應各種惡劣的工作條件�
5. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)��
6. 適用于工�(yè)及汽車領�,具有良好的�(wěn)定性和可靠��
H57V1262GTR-60C 被廣泛用于以下場景:
1. 開關電源(SMPS)和 DC-DC 轉換器中的功率開關元��
2. 電機驅動控制,特別是高壓電機的應��
3. 太陽能逆變器中的功率轉換模��
4. 電動車充電設備中的功率管��
5. 各類工業(yè)自動化設備中的高壓開關電��
由于其出色的性能和可靠性,H57V1262GTR-60C 成為許多高壓、大電流應用的理想選擇�
H57V1260GTR-60C, IRF840, STP12NK60Z