HM40N04D是一款由HOLitech生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度,適用于多種功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)應(yīng)用。其封裝形式通常為TO-252(DPAK),能夠承受較高的電壓和電流,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及通信設(shè)備等領(lǐng)域。
最大漏源電壓:40V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:4.8A
導(dǎo)通電阻:65mΩ
總功耗:1.15W
工作溫度范圍:-55℃至175℃
HM40N04D采用了先進(jìn)的工藝制造技術(shù),具備以下顯著特性:
1. 低導(dǎo)通電阻,有助于降低功耗并提高效率。
2. 高開(kāi)關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 良好的熱穩(wěn)定性,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
4. 小型化封裝設(shè)計(jì),便于PCB布局和節(jié)省空間。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材料。
6. 具備出色的電氣性能,可滿足多種功率管理需求。
該MOSFET適用于多種領(lǐng)域,包括但不限于:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的功率開(kāi)關(guān)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)元件。
4. 電池保護(hù)及負(fù)載開(kāi)關(guān)。
5. 各類工業(yè)控制系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)模塊。
6. 通信設(shè)備中的信號(hào)切換和功率處理部分。
IRLZ44N, FDN340P, AO3400A