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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > IPZ40N04S58R4ATMA1

IPZ40N04S58R4ATMA1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 14:59:49 查看 閱讀�16

IPZ40N04S58R4ATMA1是一款來(lái)自Infineon(英飛凌)的MOSFET功率晶體管,采用TO-263-3封裝形式。該器件適用于高效能�(kāi)�(guān)�(yīng)用,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和電源管理等�(lǐng)�。其低導(dǎo)通電阻特性能夠顯著降低傳�(dǎo)損�,提升整體系�(tǒng)效率�
  該MOSFET屬于OptiMOS系列,具有出色的熱性能和耐用性,使其成為高可靠性需求場(chǎng)景的理想選擇。此外,101�(rèn)證,適合汽車(chē)�(jí)�(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�49A
  �(dǎo)通電阻:3.6mΩ
  柵極電荷�138nC
  �(kāi)�(guān)速度:快�
  封裝形式:TO-263-3

特�

IPZ40N04S58R4ATMA1采用了先�(jìn)的制程技�(shù)以實(shí)�(xiàn)超低�(dǎo)通電阻,這有助于減少在大電流�(yīng)用中的功��
  該器件的柵極電荷較低,從而提升了�(kāi)�(guān)效率并減少了�(kāi)�(guān)損��
  其優(yōu)化的熱阻確保在高功率密度�(huán)境下具備卓越的散熱能力�
  此外,該MOSFET支持較寬的工作溫度范圍(-55°C�175°C),滿足苛刻工作�(huán)境下的穩(wěn)定性要��
  �(nèi)置雪崩能量保�(hù)功能,提高了器件在異常情況下的魯棒��

�(yīng)�

IPZ40N04S58R4ATMA1廣泛�(yīng)用于各類高效能功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景中,包括但不限于:
  1. 汽車(chē)電子�(lǐng)域中的電�(jī)�(qū)�(dòng)與電源管理系�(tǒng)�
  2. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的DC-DC�(zhuǎn)換器�
  3. 通信�(shè)備中的負(fù)載切換和電源�(diào)節(jié)�
  4. 家用電器中的功率控制模塊�
  由于其出色的電氣特性和可靠�,該MOSFET特別適合需要高頻開(kāi)�(guān)和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)合�

替代型號(hào)

IPB040N04L-02
  IPP040N04L
  IRF3710TRPBF

ipz40n04s58r4atma1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ipz40n04s58r4atma1參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �7.55000剪切帶(CT�5,000 : �2.72259卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?-5
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�40 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)40A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�7V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)8.4 毫歐 @ 20A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)3.4V @ 10μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)13.7 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)771 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)34W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PG-TSDSON-8-32
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN