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IRF530NPBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/4/29 18:50:43 查看 閱讀:30

IRF530NPBF 是一款由 Vishay 提供的 N 灃道 場效應(yīng)晶體管(N-Channel MOSFET),采用 TO-220 封裝形式。這款器件廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、逆變器以及音頻功率放大器等應(yīng)用領(lǐng)域。其高效率和低導(dǎo)通電阻使其成為許多電路設(shè)計(jì)中的理想選擇。
  IRF530NPBF 的特點(diǎn)是具有較低的 Rds(on) 和較高的漏極電流承載能力,同時(shí)支持較寬的工作電壓范圍。此外,該器件還具備快速開關(guān)速度和低柵極電荷特性,從而能夠有效降低開關(guān)損耗。

參數(shù)

最大漏源電壓(Vdss):100V
  最大漏極電流(Id):14A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.16Ω
  柵極電荷(Qg):6.5nC
  連續(xù)漏極電流:7.8A
  功耗(PD):109W
  結(jié)溫范圍:-55°C 至 150°C
  封裝類型:TO-220

特性

IRF530NPBF 具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力,最大漏源電壓可達(dá) 100V,適用于多種高壓應(yīng)用場景。
  2. 較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),僅為 0.16Ω,有助于減少傳導(dǎo)損耗。
  3. 快速開關(guān)速度,結(jié)合低柵極電荷特性,可以有效降低開關(guān)損耗。
  4. 良好的熱性能,支持高達(dá) 150°C 的結(jié)溫操作,提高了可靠性和耐用性。
  5. TO-220 封裝提供出色的散熱性能,便于安裝在散熱片上以進(jìn)一步提高功率處理能力。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)。

應(yīng)用

IRF530NPBF 常用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)元件。
  2. 電機(jī)驅(qū)動電路中的電子開關(guān)。
  3. 各類逆變器電路中的關(guān)鍵功率轉(zhuǎn)換元件。
  4. 音頻功率放大器中的輸出級元件。
  5. 電池保護(hù)電路中的負(fù)載切換開關(guān)。
  6. LED 驅(qū)動電路中的電流調(diào)節(jié)元件。
  由于其高性能和可靠性,IRF530NPBF 成為眾多功率電子應(yīng)用的理想選擇。

替代型號

IRF530N, IRF530BPBF

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irf530npbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C17A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs37nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds920pF @ 25V
  • 功率 - 最大70W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝TO-220AB
  • 包裝管件
  • 其它名稱*IRF530NPBF