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IRF7311TRPBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 21:37:21 查看 閱讀：10

IRF7311TRPBF 是一款雙通道 N 灃道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（N-Channel MOSFET），采用 PowerTrench 技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。該器件適用于需要高效能和高頻率操作的應(yīng)用場(chǎng)景，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。
　　該器件封裝形式為 SO-8，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，能夠在緊湊的空間內(nèi)提供高性能表現(xiàn)。

參數(shù)

最大漏源電壓：40V
　　連續(xù)漏極電流：9.2A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：6.5mΩ
　　柵極電荷：14nC
　　開關(guān)時(shí)間：typ 10ns/10ns（開啟/關(guān)閉）
　　工作結(jié)溫范圍：-55°C 至 +150°C

特性

IRF7311TRPBF 具有低導(dǎo)通電阻的特性，這有助于減少傳導(dǎo)損耗，提高效率。此外，其快速開關(guān)性能使得它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。內(nèi)置反向二極管的設(shè)計(jì)使其非常適合同步整流應(yīng)用。
　　該器件采用了先進(jìn)的 PowerTrench 工藝，從而優(yōu)化了芯片面積與性能之間的平衡。較低的柵極電荷需求使得驅(qū)動(dòng)功耗更低，同時(shí)減少了開關(guān)損耗。
　　其緊湊的 SO-8 封裝設(shè)計(jì)適合空間受限的場(chǎng)合，并且能夠承受較高的功率密度。此外，器件的可靠性經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試，可滿足工業(yè)級(jí)應(yīng)用的需求。

應(yīng)用

IRF7311TRPBF 廣泛應(yīng)用于多種電子領(lǐng)域，包括但不限于以下方面：
　　1. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流
　　2. 開關(guān)電源（SMPS）
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制
　　4. 筆記本電腦和服務(wù)器的電源管理
　　5. 各類負(fù)載開關(guān)應(yīng)用
　　6. 便攜式設(shè)備中的電池管理系統(tǒng)
　　由于其出色的效率和高頻性能，這款 MOSFET 在現(xiàn)代電子產(chǎn)品中得到了廣泛的認(rèn)可。

替代型號(hào)

IRF7309TRPBF, IRF7310TRPBF

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irf7311trpbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 個(gè) N 溝道（雙）
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6.6A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C29 毫歐 @ 6A，4.5V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）700mV @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs27nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds900pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF7311PBFTR