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IRF7457TRPBF 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/8 9:48:17 查看 閱讀:23

IRF7457TRPBF 是一款由 Vishay 生產(chǎn)的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用小型化的 PowerPAK? SO-8 封裝,適合高效率開關(guān)應(yīng)用。它具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì),可有效降低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗,適用于高頻開關(guān)電路。
  該芯片主要針對消費(fèi)類電子、計(jì)算機(jī)及外設(shè)、通信設(shè)備等領(lǐng)域的電源管理需求而設(shè)計(jì)。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:21A
  導(dǎo)通電阻:9.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  柵極電荷:37nC(典型值)
  總電容:1050pF(典型值)
  工作結(jié)溫范圍:-55°C 至 +150°C
  封裝形式:PowerPAK? SO-8

特性

IRF7457TRPBF 的主要特點(diǎn)是其優(yōu)異的性能表現(xiàn),特別在高頻開關(guān)電路中表現(xiàn)出色。以下是其具體特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),使得器件在高電流條件下仍能保持較低的功耗。
  2. 柵極電荷經(jīng)過優(yōu)化,有助于降低開關(guān)損耗,從而提高整體系統(tǒng)效率。
  3. 小型化封裝(PowerPAK? SO-8)可以顯著節(jié)省 PCB 空間,同時(shí)提供良好的散熱性能。
  4. 較高的漏源擊穿電壓(60V),能夠適應(yīng)多種電壓等級的應(yīng)用場景。
  5. 支持較寬的工作溫度范圍(-55°C 至 +150°C),確保在各種環(huán)境下的可靠性。
  6. 高速開關(guān)能力使其非常適合 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、同步整流以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。

應(yīng)用

IRF7457TRPBF 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS),如 AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
  2. 同步整流電路,用于提升電源轉(zhuǎn)換效率。
  3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制,例如無刷直流電機(jī)(BLDC)驅(qū)動(dòng)器。
  4. 筆記本電腦適配器和其他便攜式設(shè)備的充電解決方案。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化中的負(fù)載切換與控制。
  6. 通信設(shè)備中的電源管理系統(tǒng)。

替代型號

IRF7407TRPBF, IRF7410TRPBF

irf7457trpbf推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

irf7457trpbf參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C15A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 毫歐 @ 15A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs42nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3100pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF7457PBFTRIRF7457TRPBF-NDIRF7457TRPBFTR-ND