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IRF7457TRPBF 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 9:48:17 查看 閱讀�23

IRF7457TRPBF 是一款由 Vishay 生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用小型化的 PowerPAK? SO-8 封裝,適合高效率開關(guān)�(yīng)�。它具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),可有效降低傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗,適用于高頻開�(guān)電路�
  該芯片主要針對消�(fèi)類電子、計(jì)算機(jī)及外�(shè)、通信�(shè)備等�(lǐng)域的電源管理需求而設(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�21A
  �(dǎo)通電阻:9.5mΩ(典型�,@ Vgs=10V�
  柵極電荷�37nC(典型值)
  總電容:1050pF(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +150°C
  封裝形式:PowerPAK? SO-8

特�

IRF7457TRPBF 的主要特�(diǎn)是其�(yōu)異的性能表現(xiàn),特別在高頻開關(guān)電路中表�(xiàn)出色。以下是其具體特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,使得器件在高電流條件下仍能保持較低的功��
  2. 柵極電荷�(jīng)過優(yōu)�,有助于降低開關(guān)損�,從而提高整體系�(tǒng)效率�
  3. 小型化封裝(PowerPAK? SO-8)可以顯著節(jié)� PCB 空間,同�(shí)提供良好的散熱性能�
  4. 較高的漏源擊穿電壓(60V�,能夠適�(yīng)多種電壓等級的應(yīng)用場��
  5. 支持較寬的工作溫度范圍(-55°C � +150°C),確保在各種環(huán)境下的可靠��
  6. 高速開�(guān)能力使其非常適合 DC/DC �(zhuǎn)換器、同步整流以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)��

�(yīng)�

IRF7457TRPBF 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS),� AC/DC � DC/DC �(zhuǎn)換器�
  2. 同步整流電路,用于提升電源轉(zhuǎn)換效��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制,例如無刷直流電�(jī)(BLDC)驅(qū)�(dòng)器�
  4. 筆記本電腦適配器和其他便攜式�(shè)備的充電解決方案�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化中的負(fù)載切換與控制�
  6. 通信�(shè)備中的電源管理系�(tǒng)�

替代型號

IRF7407TRPBF, IRF7410TRPBF

irf7457trpbf推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

irf7457trpbf參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝4,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HEXFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C15A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 毫歐 @ 15A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs42nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3100pF @ 10V
  • 功率 - 最�2.5W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SO
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱IRF7457PBFTRIRF7457TRPBF-NDIRF7457TRPBFTR-ND