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IXFR80N10Q 發(fā)布時間 時間�2024/9/24 10:44:41 查看 閱讀�511

參數(shù)

類別:分離式半導體產(chǎn)�
  家庭:MOSFET,GaNFET-�
  系列:HiPerFET?
  FET型:MOSFET N通道,金屬氧化物
  FET特點:標準型
  開態(tài)Rds(最大) Id,Vgs 25°C�15毫歐 76A,10V
  漏極至源極電�(Vdss)�100V
  電流-連續(xù)漏極(Id) 25°C�76A
  Id時的Vgs(th)(最大)�-
  閘電�(Qg) Vgs�180nC 10V
  在Vds時的輸入電容(Ciss)�4500pF 25V
  功率-最大:310W

封裝參數(shù)

安裝類型:通孔
  封裝/外殼:ISOPLUS247?
  包裝:管�

ixfr80n10q推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

ixfr80n10q參數(shù)

  • 標準包裝30
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列HiPerFET™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C76A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15 毫歐 @ 76A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)-
  • 閘電�(Qg) @ Vgs180nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4500pF @ 25V
  • 功率 - 最�310W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼ISOPLUS247?
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�ISOPLUS247?
  • 包裝管件