K4B2G1646C-HCK0是三星(Samsung)生�(chǎn)的一款DDR3 SDRAM存儲芯片,廣泛應(yīng)用于計算�、服�(wù)器和嵌入式系�(tǒng)中。該型號具有高帶寬和低功耗的特點,適合需要高性能�(nèi)存的�(yīng)用場��
這款芯片的容量為2Gb�256Mb x 8�,采用FBGA封裝形式,引腳數(shù)�78�。其工作電壓�1.35V�1.5V,支持高速數(shù)�(jù)傳輸速率�
類型:DDR3 SDRAM
容量�2Gb (256Mb x 8)
組織方式�8-bank architecture
�(shù)�(jù)寬度:x8
工作電壓�1.35V � 1.5V
I/O 電壓�1.5V
封裝形式:FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array)
引腳�(shù)�78�
�(shù)�(jù)傳輸速率�1600Mbps
CAS延遲:CL=11
溫度范圍�0°C � 85°C
K4B2G1646C-HCK0具有以下顯著特性:
1. 高速數(shù)�(jù)傳輸能力,能夠以1600Mbps的速度運行,滿足現(xiàn)代計算設(shè)備對性能的需��
2. 支持1.35V低電壓操作模式,有助于降低功�,提高能效比�
3. 兼容標準�1.5V DDR3系統(tǒng)�(shè)�,提供靈活性�
4. �(nèi)置自動刷新和自刷新功�,確保數(shù)�(jù)保存的可靠��
5. 支持片選(CS#)和時鐘停止(CLK STOP)等功能,優(yōu)化功耗管��
6. FBGA封裝使其具有較小的尺寸和良好的散熱性能,適用于緊湊型設(shè)��
K4B2G1646C-HCK0主要用于以下�(lǐng)域:
1. 臺式電腦和筆記本電腦的內(nèi)存模塊(DIMM � SO-DIMM��
2. 工業(yè)級嵌入式系統(tǒng),例如醫(yī)療設(shè)�、網(wǎng)�(luò)通信�(shè)備和工業(yè)控制裝置�
3. 服務(wù)器和�(shù)�(jù)中心�(shè)備,用于提供大容量、高性能的內(nèi)存解決方��
4. 消費類電子產(chǎn)品,如游戲機和高清電視等需要高速數(shù)�(jù)處理能力的產(chǎn)��
5. 存儲控制器和固態(tài)硬盤(SSD)緩存模塊,提升�(shù)�(jù)讀寫速度�
K4B2G1646D-HYK0, K4B2G1646Q-HYK0