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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > K4T1G164QE-HCE7

K4T1G164QE-HCE7 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/25 13:55:16 查看 閱讀�36

K4T1G164QE-HCE7 是由三星(Samsung)生�(chǎn)的一款DDR4 SDRAM存儲(chǔ)芯片,主要用于服�(wù)�、工作站和高性能�(jì)算設(shè)備中。該芯片具備高帶�、低功耗和�(wěn)定性能的特�(diǎn),能夠滿足現(xiàn)代計(jì)算對(duì)�(nèi)存容量和速度的嚴(yán)格要��
  這款芯片采用了先�(jìn)的制程工藝,提供更快的數(shù)�(jù)傳輸速率和更高的能效表現(xiàn),適用于需要大�(guī)模數(shù)�(jù)處理的應(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

類型:DDR4 SDRAM
  容量�8Gb (1Gb x 8)
  工作電壓�1.2V
  I/O 電壓�1.2V
  封裝類型:BGA 92L
  �(shù)�(jù)速率�3200Mbps
  組織�(jié)�(gòu)�512M x 16
  溫度范圍�-40°C ~ +95°C
  工作頻率�3200MHz

特�

K4T1G164QE-HCE7 提供了卓越的性能和可靠�。它支持ECC(糾�(cuò)碼)功能以減少數(shù)�(jù)�(cuò)�,同�(shí)采用JEDEC�(biāo)�(zhǔn)定義的DDR4�(guī)范�(jìn)行設(shè)�(jì)。此外,芯片還具有以下特�(diǎn)�
  1. 支持高效的突�(fā)�(zhǎng)度操作(BL=4 � BL=8��
  2. �(nèi)置溫度傳感器,允許系�(tǒng)�(jiān)控芯片運(yùn)行時(shí)的熱狀�(tài)�
  3. 通過降低供電電壓�1.2V來實(shí)�(xiàn)更低的能�,相比前代DDR3技�(shù)�(jìn)一步提升了能效�
  4. 具有良好的信�(hào)完整性和抗干擾能�,適合復(fù)雜電磁環(huán)境下的應(yīng)用�
  5. 高速傳輸速率可達(dá)3200Mbps,確保流暢的�(shù)�(jù)交換過程�

�(yīng)�

K4T1G164QE-HCE7 芯片廣泛�(yīng)用于需要高效數(shù)�(jù)處理和大容量?jī)?nèi)存支持的�(lǐng)�,包括但不限于:
  1. �(shù)�(jù)中心和企�(yè)�(jí)服務(wù)器�
  2. 高性能�(jì)算(HPC)系�(tǒng)�
  3. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備,如路由器和交換機(jī)�
  4. 工業(yè)控制與自�(dòng)化設(shè)備中的嵌入式�(jì)算機(jī)模塊�
  5. 人工智能及深度學(xué)�(xí)�(xùn)練平�(tái)等前沿科技�(chǎn)��

替代型號(hào)

K4T1G164QF-HCJ7
  K4T1G164QD-HCK7

k4t1g164qe-hce7推薦供應(yīng)� 更多>

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