K9K8G08UOE-SIBO是三星(Samsung)生產的一款NAND閃存芯片,采用MLC(多層單元)技�。該芯片具有高密度存儲能�,適用于需要大容量數據存儲的應用場景,例如固態(tài)硬盤(SSD�、USB閃存盤和嵌入式存儲設��
這款芯片的設計注重性能與可靠�,支持較高速的數據傳輸速率,并且具備良好的功耗管理特性。它廣泛應用于消費類電子、工�(yè)控制以及網絡通信等領��
容量�128Gb�16GB�
接口類型:Toggle Mode 2.0
工作電壓�1.8V
封裝形式:BGA
引腳數:169
數據傳輸速率:最高可�200MB/s
工作溫度范圍�-25°C�+85°C
擦寫周期�3000次(典型值)
K9K8G08UOE-SIBO采用了先進的制程工藝,確保了其在存儲密度和能耗方面的�(yōu)異表��
1. 高存儲密度:單顆芯片即可提供16GB的存儲空間,適合需要大容量存儲的應��
2. 快速數據傳輸:支持Toggle Mode 2.0接口,能夠實現高�200MB/s的數據傳輸速度�
3. 良好的可靠性和耐用性:擦寫周期達到3000次,滿足常規(guī)存儲需��
4. 廣泛的工作溫度范圍:�-25°C�+85°C,適應多種環(huán)境條件下的應��
5. 功耗優(yōu)化設計:通過智能功耗管理技術降低整體能�,提高設備續(xù)航能��
K9K8G08UOE-SIBO主要應用于以下領域:
1. 固態(tài)硬盤(SSD):作為核心存儲組件,為SSD提供大容量存儲支��
2. USB閃存盤:用于制造高性能的USB存儲設備�
3. 嵌入式系�(tǒng):如工業(yè)控制設備、網絡通信設備等需要穩(wěn)定可靠存儲解決方案的場合�
4. 消費類電子產品:例如數碼相機、平板電腦和其他便攜式電子設備中的數據存儲模塊�
K9K8G08UOD-SIBO
K9K8G08UOM-SIBO