K9WAG08U1E-SCBO 是三星(Samsung)生�(chǎn)� NAND Flash 存儲芯片,采� 64Gb 容量設計,基� MLC(Multi-Level Cell)技�。該芯片廣泛應用于嵌入式系統(tǒng)、消費類電子設備以及工業(yè)級存儲解決方案中,具有高可靠性和快速讀寫性能�
該型號支� ONFI(Open NAND Flash Interface)標準,具備低功耗和高數(shù)�(jù)吞吐量的特點,適用于需要大容量存儲且對性能有一定要求的場景�
容量�64Gb (8GB)
存儲類型:MLC NAND Flash
接口標準:ONFI 2.3
工作電壓:Vcc = 3.3V, Vccq = 1.8V / 3.3V
頁面大小�8KB
塊大?�?12KB
通道�(shù)�
擦除周期�3000 �
�(shù)�(jù)保留時間�10 �
工作溫度�-40°C � +85°C
封裝形式:BGA 169 �
K9WAG08U1E-SCBO 提供了多種先進的功能和特�,以滿足�(xiàn)代存儲需��
1. 高密度存儲:單顆芯片即可提供 64Gb 的存儲容�,減少了板級空間占用�
2. 快速讀寫速度:支持高� 200MB/s 的連續(xù)讀取速度� 70MB/s 的連續(xù)寫入速度,適合高速數(shù)�(jù)傳輸?shù)膽谩?br> 3. 耐用性:MLC 技術結(jié)合優(yōu)化的擦寫算法,確保芯片在多次使用后仍能保持良好的性能和可靠��
4. 低功耗設計:待機功耗極低,有助于延長電池驅(qū)動設備的�(xù)航時��
5. 寬溫范圍:能夠在 -40°C � +85°C 的環(huán)境下�(wěn)定工作,適應各種惡劣條件下的應用需��
6. 兼容性強:支持主流控制器和協(xié)議,便于集成到不同平臺中�
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 智能手機和平板電腦等移動設備中的�(nèi)置存儲�
2. 固態(tài)硬盤(SSD)和其他外部存儲設備�
3. 嵌入式系�(tǒng),如�(wǎng)絡路由器、工�(yè)控制設備和醫(yī)療設備�
4. �(shù)字攝像頭、攝像機及其他多媒體設備的數(shù)�(jù)存儲�
5. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT)終端節(jié)點,用于本地�(shù)�(jù)緩存和處��
K9WBG08U1M-SCBO, K9WCG08U1D-SCBO