MG651006-5是一款高性能的MOSFET功率晶體�,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等需要高效能功率管理的場(chǎng)�。該型號(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,采用TO-220封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠在高頻�(yīng)用中提供卓越的效率和可靠��
這款器件主要�(shè)�(jì)用于處理高電流負(fù)�,同�(shí)保持較低的功�。其�(wěn)健的�(shè)�(jì)使其在惡劣的工作�(huán)境下仍能保持�(wěn)定性能�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�5A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ
總功耗:75W
工作溫度范圍�-55℃至150�
MG651006-5具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于降低傳�(dǎo)損�,提升整體系�(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支持高頻應(yīng)�,減少電磁干�(EMI)�
3. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)了芯片對(duì)靜電放電的耐受��
4. 熱穩(wěn)定性優(yōu)�,在高溫條件下依然可以保持穩(wěn)定的電氣性能�
5. TO-220封裝提供了良好的散熱性能,適合高功率密度�(yīng)用場(chǎng)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
MG651006-5適用于多種電力電子領(lǐng)�,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或降�/升壓�(zhuǎn)��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)�
5. 各類(lèi)工業(yè)�(shè)備中的功率管理模塊�
IRFZ44N, STP55NF06L, FDP5570N