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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > MMBT3904-7-F

MMBT3904-7-F 發(fā)布時間 時間�2024/2/22 11:56:04 查看 閱讀�864

MMBT3904-7-F是一款雙極型(NPN)小信號晶體管,由ON Semiconductor生產(chǎn)。它是SOT-23封裝,適用于通用低功耗放大器和開關應�。MMBT3904-7-F的最大電流傳輸比(hFE)�300�1000,最大集電極電流(Ic)�200mA。它的最大集電極-基極電壓(Vceo)�40V,最大集電極-�(fā)射極電壓(Vcbo)�60V。此外,它的最大發(fā)射極-基極電壓(Vebo)�6V,最大功率耗散(Pd)�350mW。該晶體管具有高頻響應特�,適用于頻率范圍從DC�300MHz。它的封裝體積小�,便于在緊湊的電路板設計中使用。同�,它的低功耗特性使其非常適合移動設備和電池供電的應��
MMBT3904-7-F廣泛應用于各種電路中,包括放大器、開關、電流驅動器和邏輯門�。它可以在低�0.1μA的基極電流下工作,這使得它非常適合需要低功耗的應用�
總而言�,MMBT3904-7-F是一款高性能、低功耗的雙極型小信號晶體�,適用于各種通用放大器和開關應用。它的小封裝和高頻特性使其成為移動設備和電池供電應用的理想選��

參數(shù)指標

最大集電極電流(IC):200mA
  最大集電極-基極電壓(VCEO):40V
  最大集電極-�(fā)射極電壓(VEBO):6V
  最大功耗(PD):350mW
  最大工作頻率(fT):300MHz

組成結構

MMBT3904-7-F由三個區(qū)域組成:基區(qū)、發(fā)射區(qū)和集電區(qū)?;鶇^(qū)位于中間,發(fā)射區(qū)和集電區(qū)分別位于兩側。發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間存在pn結,集電區(qū)與基區(qū)之間也存在pn��

工作原理

當正向偏置施加在基極-�(fā)射極之間�,發(fā)射區(qū)的pn結會變得導電,電子從�(fā)射區(qū)注入到基區(qū),形成電流。同�,由于集電區(qū)與基區(qū)之間的反向偏�,集電區(qū)的pn結截�,電流無法通過。因�,基極電流的變化可以控制集電極電流的變化,實�(xiàn)信號放大或開關控制功��

技術要�

MMBT3904-7-F具有高電流放大倍數(shù)、低噪聲、低電壓漂移等特�,適用于低功率應用場�。它采用SOT-23封裝,體積小、重量輕,便于集成和布局�

設計流程

在設計電路時,需要根�(jù)具體應用需求選擇合適的偏置電流、功耗和工作頻率等參�(shù)??梢允褂媚M電路設計軟件進行仿真和優(yōu)�,以確保電路的性能和穩(wěn)定性�

注意事項

在使用MMBT3904-7-F�,需要注意以下事項:
  適當選擇偏置電流和電�,以避免過載和損壞器��
  防止靜電放電,使用合適的靜電保護措施�
  避免過高的溫度和濕度,以確保器件的可靠性和壽命�

�(fā)展歷�

MMBT3904-7-F是一款雙極型(NPN)小信號晶體�。以下是該晶體管的發(fā)展歷程:
  1951年,美國貝爾實驗室的研究人員�(fā)�(xiàn)了晶體管的雙極型效應,并�1952年獲得了晶體管的第一個專�。這一�(fā)�(xiàn)引發(fā)了晶體管技術的廣泛研究和開�(fā)�
  20世紀50年代,晶體管的制造工藝逐漸成熟,晶體管開始在各種電子設備中得到應用。當時的晶體管主要采用硅材料制�,具有較低的功耗和較高的可靠��
  1960年代�,貝爾實驗室的研究人員發(fā)�(xiàn)了一種新型的雙極型晶體管材料,即鍺材�。與硅材料相比,鍺材料具有更高的導電性能和更好的熱穩(wěn)定��
  1970年代,隨著集成電路技術的�(fā)�,晶體管的尺寸開始縮小,功耗和成本也得到了進一步降�。在這個時�,NPN型晶體管成為了主�,被廣泛應用于各種電子設備中�
  20世紀80年代,半導體技術得到了快速發(fā)展,晶體管的性能和可靠性得到了進一步提�。同�,晶體管的封裝也變得更加小型化和高效��
  2000年代以后,隨著無線通信技術和移動互聯(lián)�(wǎng)的快速發(fā)展,對于小型、高性能晶體管的需求越來越大。MMBT3904-7-F晶體管應運而生,它采用了先進的制造工�,具有較小的尺寸、低功耗和高可靠��

mmbt3904-7-f推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

mmbt3904-7-f資料 更多>

  • 型號
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mmbt3904-7-f參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)200mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)40V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)300mV @ 5mA�50mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)100 @ 10mA�1V
  • 功率 - 最�300mW
  • 頻率 - 轉換300MHz
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應商設備封�SOT-23-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MMBT3904-FDITR