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MMBTH10LT1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 11:26:02 查看 閱讀�17

MMBTH10LT1G 是一� NPN 型硅雙極晶體�,采� SOT-23 封裝形式。它具有低飽和電�、高增益和快速開�(guān)特�,適用于各種低功率放大和開關(guān)�(yīng)�。該晶體管廣泛用于消費電子、通信�(shè)備以及工�(yè)控制�(lǐng)��
  其設(shè)計使得它能夠在高頻條件下提供�(wěn)定的性能表現(xiàn),同時保持較低的功��

參數(shù)

集電�-�(fā)射極擊穿電壓(VCEO):40V
  集電極電流(IC):150mA
  直流電流增益(hFE):100(最小值,� IC=150mA 時)
  最大工作結(jié)溫(TJ):150°C
  存儲溫度范圍�-65°C � 150°C
  封裝類型:SOT-23
  電源電壓范圍:最高支� 40V

特�

MMBTH10LT1G 晶體管具備以下顯著特點:
  1. 高增益性能,確保在弱信號放大的情況下依然能夠提供出色的線性輸��
  2. 低飽和壓降,可有效降低功率損耗并提升效率�
  3. 快速開�(guān)速度,適合高頻開�(guān)�(yīng)用場��
  4. �(wěn)定的工作溫度范圍,使其適�(yīng)多種�(huán)境條件下的使用需��
  5. 小型化封裝(SOT-23�,有助于節(jié)省電路板空間,非常適合便攜式�(shè)備及高密� PCB �(shè)計�

�(yīng)�

這款晶體管適用于以下場景�
  1. 開關(guān)電路中的�(qū)動元�,例如小型繼電器� LED �(qū)��
  2. 音頻信號放大器中的增益級或緩沖級�
  3. 脈寬�(diào)制(PWM)控制器中的開關(guān)器件�
  4. 各類保護(hù)電路中的過流檢測與保�(hù)元件�
  5. 工業(yè)自動化控制中的傳感器接口和信號處理部��

替代型號

MMBT3904LT1G, MMBT2222ALT1G

mmbth10lt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

mmbth10lt1g資料 更多>

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mmbth10lt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭RF 晶體� (BJT)
  • 系列-
  • 晶體管類�NPN
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)25V
  • 頻率 - �(zhuǎn)�650MHz
  • 噪聲系數(shù)(dB典型值@頻率�-
  • 增益-
  • 功率 - 最�225mW
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)60 @ 4mA�10V
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱MMBTH10LT1GOSMMBTH10LT1GOS-NDMMBTH10LT1GOSTR