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MMUN2211LT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 0:57:34 查看 閱讀�11

MMUN2211LT1G 是一� N �(méi)有極型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,采� TO-277 封裝形式。這種器件廣泛用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用中,其主要功能是在電路中作為高效的電子�(kāi)�(guān)或功率放大元�。該型號(hào)具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能�,能夠顯著提升系�(tǒng)效率并減少能量損��
  這款 MOSFET 屬于增強(qiáng)型器件,意味著它需要一定的柵極電壓才能�(kāi)�。由于其出色的性能參數(shù),MMUN2211LT1G 在工�(yè)控制、汽�(chē)電子以及消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品領(lǐng)域均有著廣泛�(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  最大漏極電流:94A
  最大柵源電壓:±20V
  �(dǎo)通電阻:1.6mΩ
  總功耗:38W
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-277

特�

MMUN2211LT1G 具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低傳導(dǎo)損耗,提高整體系統(tǒng)效率�
  2. 高額定漏極電流能力,使其能夠在高�(fù)載條件下�(wěn)定運(yùn)��
  3. 較寬的工作溫度范圍,適應(yīng)各種�(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用需��
  4. 快速開(kāi)�(guān)速度,減少了�(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損��
  5. �(qiáng)大的雪崩能量承受能力,增�(qiáng)了器件在異常情況下的可靠性�
  6. 緊湊且堅(jiān)固的 TO-277 封裝�(shè)�(jì),便于安裝和散熱管理�

�(yīng)�

MMUN2211LT1G 主要�(yīng)用于以下�(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器,提供高效的能量�(zhuǎn)��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器模�,用作功率級(jí)�(kāi)�(guān)元件�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制電��
  4. 汽車(chē)電子系統(tǒng),如電動(dòng)�(chē)�、座椅調(diào)節(jié)及發(fā)�(dòng)�(jī)控制單元�
  5. 各類(lèi)家用電器和消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的功率管理部��

替代型號(hào)

MMUN2211LT1G 的替代型�(hào)包括但不限于:IRFP260N、STP90NF10、INFINEON IPW90R160CP

mmun2211lt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
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mmun2211lt1g資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
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mmun2211lt1g參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓�
  • 系列-
  • 晶體管類(lèi)�NPN - �(yù)偏壓
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • 電阻� - 基極 (R1)(歐�10k
  • 電阻� - �(fā)射極 (R2)(歐�10k
  • 在某 Ic、Vce �(shí)的最小直流電流增� (hFE)35 @ 5mA�10V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 300µA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 頻率 - �(zhuǎn)�-
  • 功率 - 最�246mW
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3(TO-236�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)MMUN2211LT1GOSMMUN2211LT1GOS-NDMMUN2211LT1GOSTR