時間：2025/5/22 12:53:42
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MUN5315DW1 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效率功率晶體管，屬于 enhancement-mode GaN FET 系列。該器件采用先進的封裝技術，具有低導通電阻和快速開關速度的特點，適用于高頻開關電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及其它高效能電力電子應用。
該芯片在設計時注重了散熱性能與可靠性，同時通過優(yōu)化柵極驅(qū)動特性降低了電磁干擾（EMI）。其工作電壓范圍寬，能夠適應多種復雜的工作環(huán)境。
最大漏源電壓：600V
連續(xù)漏極電流：2.8A
導通電阻：140mΩ
柵極電荷：30nC
開關頻率：高達5MHz
結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：DFN8
1. 基于增強型氮化鎵技術，具備出色的高頻性能。
2. 極低的導通電阻，有效減少傳導損耗。
3. 快速開關速度，適合高頻應用場合。
4. 高擊穿電壓，增強了系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。
5. 小尺寸封裝，有助于縮小整體電路板面積。
6. 支持高效率的功率轉(zhuǎn)換，在高頻條件下仍保持低功耗。
1. 開關電源適配器及充電器。
2. LED 驅(qū)動電源。
3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器模塊。
4. 無線充電設備中的功率級。
5. 工業(yè)用高效能電機驅(qū)動控制。
6. 其它需要高效率、小體積解決方案的電力電子系統(tǒng)。
MUN5315DW2, MUN5315AW1
