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MVR32HXBRN154 發(fā)布時間 時間:2025/5/29 0:35:14 查看 閱讀:13

MVR32HXBRN154 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用 N 溝道增強(qiáng)型技術(shù)設(shè)計。該器件適用于高效率、高頻率開關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用領(lǐng)域,具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)性能。
  該芯片基于先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,確保其在高電流和高電壓環(huán)境下依然具備出色的穩(wěn)定性和可靠性。同時,其緊湊的封裝形式也使其非常適合空間受限的應(yīng)用場景。

參數(shù)

型號:MVR32HXBRN154
  類型:N溝道功率MOSFET
  封裝形式:TO-263 (D2PAK)
  Vds(漏源極電壓):60V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻,典型值):1.5mΩ
  Id(持續(xù)漏極電流):120A
  Vgs(柵源極電壓):±20V
  f(工作頻率范圍):高達(dá) 5MHz
  結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +175℃
  功耗:約 2W

特性

MVR32HXBRN154 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on),可有效減少導(dǎo)通損耗,提升整體效率。
  2. 高電流處理能力,支持高達(dá) 120A 的連續(xù)漏極電流。
  3. 快速開關(guān)速度,適合高頻開關(guān)電源和逆變器應(yīng)用。
  4. 強(qiáng)大的熱穩(wěn)定性,能夠在極端溫度范圍內(nèi)正常運(yùn)行。
  5. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能,增強(qiáng)器件抗靜電能力。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保,無鉛設(shè)計。
  7. 緊湊的 TO-263 封裝形式,便于安裝和散熱管理。

應(yīng)用

MVR32HXBRN154 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS),如適配器、充電器等。
  2. 直流-直流轉(zhuǎn)換器(DC-DC Converter)。
  3. 電機(jī)驅(qū)動和控制,包括無刷直流電機(jī)(BLDC)驅(qū)動。
  4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)。
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊。
  6. 汽車電子系統(tǒng),例如電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)和剎車輔助系統(tǒng)(ABS)。
  7. LED 驅(qū)動電路和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景。

替代型號

MVR32HXBRL154, IRF3205, SI4872DY

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