NTGS4111PT1G是一款來自安森美(ON Semiconductor)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種電源管理、電�(jī)�(qū)動和信號切換等應(yīng)用領(lǐng)�。其封裝形式為TO-263(DPAK�,能夠提供出色的散熱性能和電氣特��
NTGS4111PT1G主要面向需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電池供電�(shè)備中的功率級控制�
最大漏源電壓:40V
最大柵源電壓:±8V
持續(xù)漏極電流�39A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(典型�,在Vgs=10V時)
總功耗:125W
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
柵極電荷�10nC(典型值)
反向恢復(fù)時間:無(由于內(nèi)部體二極管特性)
封裝形式:TO-263(DPAK�
NTGS4111PT1G具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在高頻開�(guān)�(yīng)用中能有效降低傳�(dǎo)損��
2. 快速開�(guān)性能,適合高頻DC-DC�(zhuǎn)換器和其他高速切換電��
3. 高額定電流能力(39A),支持大功率應(yīng)��
4. 寬廣的工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境下的可靠運(yùn)行�
5. 兼容表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自動化生產(chǎn)和裝��
6. �(nèi)置體二極管設(shè)�(jì),簡化了某些�(yīng)用中的電路設(shè)�(jì)�
NTGS4111PT1G適用于多種電子應(yīng)用領(lǐng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率MOSFET開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流和主開關(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制�
4. 各種�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控��
6. 工業(yè)自動化和汽車電子中的功率�(zhuǎn)換模��
NTGS4110NPT1G, FDP5800, IRFZ44N