RHU002N06T106 是一� N 溝道增強� MOSFET,采用小型化封裝設計,適合于高頻開關應用。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特�,適用于 DC-DC 轉換�、負載開關、電機驅動等場景�
型號:RHU002N06T106
類型:N溝道MOSFET
封裝:SOT-23
最大漏源電壓Vds�60V
最大柵源電壓Vgs:�20V
最大漏極電流Id�2A(脈沖)
導通電阻Rds(on)�2.4Ω(在Vgs=10V時)
總功耗Ptot�420mW
工作溫度范圍�-55℃至+150�
RHU002N06T106 具有非常低的導通電� Rds(on),從而減少傳導損耗并提高效率。其小尺� SOT-23 封裝非常適合空間受限的設計環(huán)��
此外,該器件支持高達 60V 的漏源電�,并且具備良好的熱穩(wěn)定�,在高溫條件下也能保持穩(wěn)定的性能表現�
MOSFET 的快速開關特性使其成為便攜式電子設備、通信電源及工�(yè)控制系統的理想選��
RHU002N06T106 廣泛應用于多種領域,包括但不限于�
- 開關模式電源(SMPS)中的功率轉換電路
- 移動設備充電保護模塊
- 筆記本電腦適配器中的同步整流
- 工業(yè)自動化中的負載開關控�
- LED 驅動電路
- 小型電機驅動與保護電�