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RQ3E180BNTB 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/30 17:42:08 查看 閱讀�13

RQ3E180BNTB 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),專為需要高效率和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有卓越的開關(guān)特性和熱性能,適合于電源管理、電�(jī)�(qū)�、負(fù)載開�(guān)以及其他需要高頻和高效能轉(zhuǎn)換的場合�
  其封裝形式為 TO-263 (DPAK),能夠提供良好的散熱性能,并且易于在 PCB 上�(jìn)行布局與焊接�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�40A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.8mΩ
  柵極電荷(典型值)�58nC
  輸入電容�1790pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝類型:TO-263

特�

RQ3E180BNTB 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高電流承載能�,適用于大功率應(yīng)用�
  3. 快速開�(guān)速度,可減少開關(guān)損耗,適合高頻操作�(huán)��
  4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在高溫條件下可靠運(yùn)行�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)性要求�
  6. 可靠的電氣性能,確保長�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行�

�(yīng)�

這款 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和主開�(guān)功能�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于提升轉(zhuǎn)換效��
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS),作為保護(hù)或切換元��
  4. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級控制�
  5. 各類�(fù)載開�(guān)場景,如汽車電子和工�(yè)自動化設(shè)備中�
  6. 其他對高效率和高可靠性有需求的電力電子�(yīng)��

替代型號

RQ3E180BNH、IRL3803PBF、AO3802

rq3e180bntb推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

rq3e180bntb參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�5,450�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �5.56000剪切帶(CT�3,000 : �2.16656卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)39A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)3.9 毫歐 @ 18A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)37 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)3500 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2W(Ta��20W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�8-HSMT�3.2x3�
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN