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SCTWA90N65G2V-4 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/9 19:02:47 查看 閱讀:26

SCTWA90N65G2V-4 是一款由 Semikron 生產(chǎn)的 IGBT 模塊,屬于 SCTWA 系列。該模塊采用了先進(jìn)的封裝技術(shù),適合用于高頻和高功率應(yīng)用場(chǎng)景。其主要應(yīng)用領(lǐng)域包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源(UPS)、太陽(yáng)能逆變器以及焊接設(shè)備等。該模塊具有低導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗的特點(diǎn),能夠有效提升系統(tǒng)的效率和可靠性。
  此型號(hào)采用 EconoDUAL 3 封裝形式,具備緊湊的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),便于安裝和維護(hù)。此外,它還支持并聯(lián)使用以實(shí)現(xiàn)更高的電流容量。

參數(shù)

額定電壓:650V
  額定電流:90A
  開(kāi)關(guān)頻率:高達(dá) 20kHz
  結(jié)溫范圍:-40°C 至 +150°C
  熱阻:0.18 K/W
  輸入電容:2700 pF
  開(kāi)通時(shí)間:150 ns
  關(guān)斷時(shí)間:180 ns
  反向恢復(fù)時(shí)間:100 ns
  封裝類型:EconoDUAL 3

特性

SCTWA90N65G2V-4 擁有以下顯著特性:
  1. 高效性:通過(guò)優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)和封裝工藝,降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗,從而提高整體效率。
  2. 可靠性:在極端溫度條件下表現(xiàn)出色,具備較高的抗浪涌能力和魯棒性。
  3. 緊湊設(shè)計(jì):EconoDUAL 3 封裝使其擁有較小的外形尺寸,同時(shí)提供強(qiáng)大的性能表現(xiàn)。
  4. 易于集成:標(biāo)準(zhǔn)引腳布局和連接方式簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)和組裝過(guò)程。
  5. 并聯(lián)能力:允許多個(gè)模塊并聯(lián)運(yùn)行,進(jìn)一步擴(kuò)展電流處理能力。
  6. 快速響應(yīng):短的開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間有助于減少電磁干擾并改善動(dòng)態(tài)性能。

應(yīng)用

SCTWA90N65G2V-4 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng):適用于各種類型的交流電機(jī)控制,支持矢量控制和直接轉(zhuǎn)矩控制等先進(jìn)算法。
  2. 不間斷電源(UPS):為數(shù)據(jù)中心和其他關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施提供可靠的電力保護(hù)。
  3. 太陽(yáng)能逆變器:將光伏陣列產(chǎn)生的直流電高效地轉(zhuǎn)換為交流電并饋入電網(wǎng)。
  4. 焊接設(shè)備:支持高效的電阻焊和弧焊操作。
  5. 其他高功率電子設(shè)備:如電動(dòng)汽車充電站、風(fēng)力發(fā)電變流器等需要高功率密度和高效率的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

SCTWA90N65G3V-4, SCTWA120N65G2V-4

sctwa90n65g2v-4推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sctwa90n65g2v-4產(chǎn)品

sctwa90n65g2v-4參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格1 : ¥302.18000管件
  • 系列-
  • 包裝管件
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)SiCFET(碳化硅)
  • 漏源電壓(Vdss)650 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)119A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)-
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)24 毫歐 @ 50A,18V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)157 nC @ 18 V
  • Vgs(最大值)+22V,-10V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)3380 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)565W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 200°C(TJ)
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝HiP247? 長(zhǎng)引線
  • 封裝/外殼TO-247-3