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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SCTWA90N65G2V-4

SCTWA90N65G2V-4 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/9 19:02:47 查看 閱讀�26

SCTWA90N65G2V-4 是一款由 Semikron 生產(chǎn)� IGBT 模塊,屬� SCTWA 系列。該模塊采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),適合用于高頻和高功率應(yīng)用場(chǎng)�。其主要�(yīng)用領(lǐng)域包括工�(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)、不間斷電源(UPS�、太�(yáng)能逆變器以及焊接設(shè)備等。該模塊具有低導(dǎo)通損耗和�(kāi)�(guān)損耗的特點(diǎn),能夠有效提升系�(tǒng)的效率和可靠��
  此型�(hào)采用 EconoDUAL 3 封裝形式,具備緊湊的�(shè)�(jì)�(jié)�(gòu),便于安裝和維護(hù)。此外,它還支持并聯(lián)使用以實(shí)�(xiàn)更高的電流容��

參數(shù)

額定電壓�650V
  額定電流�90A
  �(kāi)�(guān)頻率:高�(dá) 20kHz
  �(jié)溫范圍:-40°C � +150°C
  熱阻�0.18 K/W
  輸入電容�2700 pF
  �(kāi)通時(shí)間:150 ns
  �(guān)斷時(shí)間:180 ns
  反向恢復(fù)�(shí)間:100 ns
  封裝類型:EconoDUAL 3

特�

SCTWA90N65G2V-4 擁有以下顯著特性:
  1. 高效性:通過(guò)�(yōu)化芯片設(shè)�(jì)和封裝工�,降低導(dǎo)通和�(kāi)�(guān)損�,從而提高整體效��
  2. 可靠性:在極端溫度條件下表現(xiàn)出色,具備較高的抗浪涌能力和魯棒��
  3. 緊湊�(shè)�(jì):EconoDUAL 3 封裝使其擁有較小的外形尺寸,同時(shí)提供�(qiáng)大的性能表現(xiàn)�
  4. 易于集成:標(biāo)�(zhǔn)引腳布局和連接方式�(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)和組裝過(guò)��
  5. 并聯(lián)能力:允許多�(gè)模塊并聯(lián)�(yùn)�,�(jìn)一步擴(kuò)展電流處理能��
  6. 快速響�(yīng):短的開(kāi)通和�(guān)斷時(shí)間有助于減少電磁干擾并改善動(dòng)�(tài)性能�

�(yīng)�

SCTWA90N65G2V-4 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):適用于各種類型的交流電�(jī)控制,支持矢量控制和直接�(zhuǎn)矩控制等先�(jìn)算法�
  2. 不間斷電源(UPS):為數(shù)�(jù)中心和其他關(guān)鍵基�(chǔ)�(shè)施提供可靠的電力保護(hù)�
  3. 太陽(yáng)能逆變器:將光伏陣列產(chǎn)生的直流電高效地�(zhuǎn)換為交流電并饋入電網(wǎng)�
  4. 焊接�(shè)備:支持高效的電阻焊和弧焊操��
  5. 其他高功率電子設(shè)備:如電�(dòng)汽車充電�、風(fēng)力發(fā)電變流器等需要高功率密度和高效率的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

SCTWA90N65G3V-4, SCTWA120N65G2V-4

sctwa90n65g2v-4推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sctwa90n65g2v-4�(chǎn)�

sctwa90n65g2v-4參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �302.18000管件
  • 系列-
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)SiCFET(碳化硅�
  • 漏源電壓(Vdss�650 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)119A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�-
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)24 毫歐 @ 50A�18V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)5V @ 1mA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)157 nC @ 18 V
  • Vgs(最大值)+22V�-10V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)3380 pF @ 400 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)565W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 200°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�HiP247? �(zhǎng)引線
  • 封裝/外殼TO-247-3