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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SCV4276DS50R4G

SCV4276DS50R4G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 16:48:47 查看 閱讀�33

SCV4276DS50R4G是一款基于硅 carbide(SiC)技�(shù)的高壓功率MOSFET,主要應(yīng)用于高效率、高頻開(kāi)�(guān)�(chǎng)�。這款器件具有出色的熱性能和電氣特�,能夠在極端條件下提供穩(wěn)定的�(yùn)行表�(xiàn)�
  該型�(hào)采用了先�(jìn)的溝槽式�(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),從而實(shí)�(xiàn)了低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度。其封裝形式為T(mén)O-247-3,能夠有效散熱并支持大電流操作�

參數(shù)

最大漏源電壓:1200V
  連續(xù)漏極電流�50A
  �(dǎo)通電阻:4mΩ
  柵極電荷�95nC
  �(kāi)�(guān)頻率:高�(dá)500kHz
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

SCV4276DS50R4G具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 高壓能力:支持高�(dá)1200V的漏源電�,適合多種高壓應(yīng)用場(chǎng)景�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻:僅為4mΩ,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)速度:得益于小的柵極電荷和輸出電�,可�(shí)�(xiàn)高頻工作模式�
  4. 高溫適應(yīng)性:可以在最�175℃的工作溫度下穩(wěn)定運(yùn)行,非常適合�(duì)可靠性要求較高的工業(yè)�(huán)��
  5. 小型化與高效散熱:采用TO-247-3封裝,既保證了良好的散熱性能,又減少了整體體積�
  6. 硅碳化物技�(shù):利用SiC材料的優(yōu)�(shì),提升了功率密度及耐久��

�(yīng)�

該芯片廣泛適用于各種需要高性能功率�(zhuǎn)換的�(chǎng)合,包括但不限于�
  1. 太陽(yáng)能逆變器:在光伏系�(tǒng)中用于直流到交流的高效能量轉(zhuǎn)��
  2. 電動(dòng)汽車(chē)充電站:作為核心功率器件,實(shí)�(xiàn)快速充電功��
  3. 不間斷電源(UPS):保障電力供應(yīng)�(wěn)定性的同時(shí)提高能效�
  4. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):控制電�(jī)�(zhuǎn)速與方向,滿(mǎn)足精確調(diào)節(jié)需��
  5. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器:為通信基站等設(shè)備提供可靠電源支��

替代型號(hào)

CMF20120D, CSD19536KCS, SCT30N120

scv4276ds50r4g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)