時間�2025/5/7 11:03:15
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SDN10N3P5S2B是一種基于硅材料制造的高性能MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）。該器件通常用于開關電源、電機驅動、DC-DC轉換器等應用場合。它具備低導通電阻和快速開關速度的特點，能夠有效降低功耗并提高效率。此�，SDN10N3P5S2B采用TO-263封裝形式，具有良好的散熱性能�
該型號屬于增強型N溝道MOSFET，通過柵極電壓控制漏極與源極之間的電流流動。其主要特點是高效率、高可靠性和緊湊設計，適合需要高效能功率管理的電��
最大漏源電壓：35V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流�10A
導通電阻：3.8mΩ
總柵極電荷：27nC
開關時間：開通延遲時�28ns，關斷傳播時�22ns
工作結溫范圍�-55℃至175�
SDN10N3P5S2B具有以下顯著特性：
1. 極低的導通電阻，有助于減少導通損��
2. 快速的開關速度，可支持高頻操作，適用于開關模式電源及脈寬調制應��
3. 高雪崩擊穿能量能�，增強了器件在過載條件下的可靠性�
4. 熱穩(wěn)定性強，能夠在較寬的工作溫度范圍內保持�(wěn)定的性能�
5. 小型化設�，方便應用于空間受限的環(huán)��
6. 符合RoHS標準，環(huán)保無��
SDN10N3P5S2B廣泛應用于多種電力電子領域：
1. 開關電源（SMPS）中的功率開關元��
2. 電機驅動電路中的功率級開��
3. DC-DC轉換器中的同步整流或主開��
4. 負載切換和保護電��
5. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控制開��
6. 各類工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
由于其高效的性能和緊湊的設計，SDN10N3P5S2B特別適合于對體積和能耗要求較高的應用場景�
IRFZ44N
FDP5800
STP10NK50Z
