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SI2312CDS-T1-GE3 發(fā)布時間 時間:2025/5/28 11:30:16 查看 閱讀:12

SI2312CDS 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)的 N 溝道增強型功率 MOSFET。該器件采用小型的 SOT-23 封裝,適用于各種需要高效開關(guān)和低功耗的應(yīng)用場景。其出色的 Rds(on) 特性和較低的柵極電荷使得它成為便攜式設(shè)備、負載開關(guān)以及同步整流應(yīng)用的理想選擇。
  該型號中的后綴 -T1-GE3 表示 Vishay 的標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)級封裝和測試標(biāo)準(zhǔn),確保了高一致性和可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:2.4A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):95mΩ(典型值,在 Vgs=4.5V 下測量)
  柵極電荷:7nC(典型值)
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ 至 +150℃
  封裝類型:SOT-23

特性

SI2312CDS 具有以下主要特性:
  1. 高效的開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用。
  2. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),有助于減少功率損耗。
  3. 小巧的 SOT-23 封裝節(jié)省了電路板空間,非常適合空間受限的設(shè)計。
  4. 低柵極電荷設(shè)計,進一步提升了開關(guān)效率。
  5. 寬溫度范圍適應(yīng)性使其能夠在嚴(yán)苛環(huán)境下可靠運行。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)要求。

應(yīng)用

這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 手機和其他便攜式設(shè)備中的負載開關(guān)。
  2. 同步整流電路。
  3. 電池供電系統(tǒng)的保護電路。
  4. DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
  5. 各類消費類電子產(chǎn)品中的信號切換與功率管理。
  由于其高效的特性和緊湊的封裝形式,SI2312CDS 成為許多小尺寸、高性能設(shè)計的首選器件。

替代型號

SI2301DS, BSS138

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si2312cds-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C31.8 毫歐 @ 5A,4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs18nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds865pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SOT-23-3(TO-236)
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SI2312CDS-T1-GE3TR